Úloha vodíku v amorfním hydrogenizovaném a nanokrystalickém křemíku při uspořádání struktury na krátkou vzdálenost

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F06%3A00000111" target="_blank" >RIV/49777513:23640/06:00000111 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

On the role of hydrogen in the short range order of hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon

Popis výsledku v původním jazyce

Relatively well-understood hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films still have been intensively studied, especially for TFTs, thin-film-LEDs, solar cells etc. Nanocrystalline Si containing amorphous phase and tiny Si crystallites about tens of nanometers in size compromises some of a-Si:H and crystalline Si (c-Si) properties. Owing to the crystallite size it has become more appropriate to prefer nc-Si:H that retains some advantages of a-Si:H such as low leakage current, and low-cost, simple low-temperature processing, and at the same time improved electrical characteristics over a-Si:H, such as higher mobility and greater stability. Main differences origin from Si-H bonds and the physics of hydrogen in a-Si:H or nc-Si:H may clarify certain unique effects in a-Si:H and nc-Si:H devices.

Název v anglickém jazyce

On the role of hydrogen in the short range order of hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon

Popis výsledku anglicky

Relatively well-understood hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films still have been intensively studied, especially for TFTs, thin-film-LEDs, solar cells etc. Nanocrystalline Si containing amorphous phase and tiny Si crystallites about tens of nanometers in size compromises some of a-Si:H and crystalline Si (c-Si) properties. Owing to the crystallite size it has become more appropriate to prefer nc-Si:H that retains some advantages of a-Si:H such as low leakage current, and low-cost, simple low-temperature processing, and at the same time improved electrical characteristics over a-Si:H, such as higher mobility and greater stability. Main differences origin from Si-H bonds and the physics of hydrogen in a-Si:H or nc-Si:H may clarify certain unique effects in a-Si:H and nc-Si:H devices.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Applied Physics of Condensed Matter

ISBN

80-227-2424-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

279-282

Název nakladatele

Slovak University of Technology

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Malá Lučivná

Datum konání akce

1. 1. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—