Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Structural changes studies of a-Si:H films deposited by PECVD under different hydrogen dilutions using various experimental techniques

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F09%3A00502097" target="_blank" >RIV/49777513:23640/09:00502097 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Structural changes studies of a-Si:H films deposited by PECVD under different hydrogen dilutions using various experimental techniques

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) has been used to prepare hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films at different hydrogen dilution of silane source gas. The films were deposited on Corning glass 1737 substrate and on (100) oriented c-Si wafers and characterized by XRD diffraction, micro-Raman and FTIR spectrometry. Experimental data show evolution from amorphous to nanocrystalline silicon and contain the medium-range order (MRO) with varying hydrogen dilution during deposition. From X-ray diffraction and Raman analysis, it is found that the presence of crystalline phase depends on the kind of substrate and on the dilution scale.

  • Název v anglickém jazyce

    Structural changes studies of a-Si:H films deposited by PECVD under different hydrogen dilutions using various experimental techniques

  • Popis výsledku anglicky

    Plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) has been used to prepare hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films at different hydrogen dilution of silane source gas. The films were deposited on Corning glass 1737 substrate and on (100) oriented c-Si wafers and characterized by XRD diffraction, micro-Raman and FTIR spectrometry. Experimental data show evolution from amorphous to nanocrystalline silicon and contain the medium-range order (MRO) with varying hydrogen dilution during deposition. From X-ray diffraction and Raman analysis, it is found that the presence of crystalline phase depends on the kind of substrate and on the dilution scale.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Vacuum

  • ISSN

    0042-207X

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    84

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    3

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000270625900031

  • EID výsledku v databázi Scopus