Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Microstructure related optical characterization of technologically relevant hydrogenated silicon thin films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F08%3A43898285" target="_blank" >RIV/49777513:23640/08:43898285 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.822348" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.822348</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.822348" target="_blank" >10.1117/12.822348</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Microstructure related optical characterization of technologically relevant hydrogenated silicon thin films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We report results obtained from measurements of UV Vis, FTIR and Raman spectra carried out on a series of silicon thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) from silane diluted with hydrogen. Spectral refractive indices, extinction coefficients, optical band gap energies, hydrogen content, the microstructure factor, and grain size were determined as a function of the hydrogen dilution. Hydrogen dilution of silane results in an inhomogeneous growth during which the materialevolves from amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) to microcrystalline hydrogenated silicon (c-Si:H). With increasing dilution Si:H films become mixed-phase materials with changing volume fractions of crystalline and amorphous phases and voids. The optical band gap energies were determined from transmittance spectra. The grain size was determined from Raman spectra and the contribution of small and large grains was detected.

  • Název v anglickém jazyce

    Microstructure related optical characterization of technologically relevant hydrogenated silicon thin films

  • Popis výsledku anglicky

    We report results obtained from measurements of UV Vis, FTIR and Raman spectra carried out on a series of silicon thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) from silane diluted with hydrogen. Spectral refractive indices, extinction coefficients, optical band gap energies, hydrogen content, the microstructure factor, and grain size were determined as a function of the hydrogen dilution. Hydrogen dilution of silane results in an inhomogeneous growth during which the materialevolves from amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) to microcrystalline hydrogenated silicon (c-Si:H). With increasing dilution Si:H films become mixed-phase materials with changing volume fractions of crystalline and amorphous phases and voids. The optical band gap energies were determined from transmittance spectra. The grain size was determined from Raman spectra and the contribution of small and large grains was detected.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings SPIE

  • ISBN

    978-80-8070-709-5

  • ISSN

    0277-786X

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    8

  • Strana od-do

    1-8

  • Název nakladatele

    SPIE

  • Místo vydání

    S.l.

  • Místo konání akce

    Polanica Zdrój

  • Datum konání akce

    8. 9. 2008

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku