O nanometrovém uspořádání v tenkých vrstvách hydrogenizovaného amorfního křemíku

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F08%3A00500608" target="_blank" >RIV/49777513:23640/08:00500608 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

On nanometer ordering in thin amorphous hydrogenated silicon

Popis výsledku v původním jazyce

We investigated thin films of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) deposited by PECVD under increasing dilutions of silane plasma by hydrogen. We found out that under increasing additional hydrogen at the depositions, thin films obtain less hydrogen bonded to silicon. The optical band gap energies determined from UV Vis transmittance and reflectance spectra were found to be increasing function of the dilution. We deduce that optical band gaps expanse due to the decreasing dimensions of silicon nanocrystals. They were calculated to be of 2 ? 4 nm which proves the medium-range order in a-Si:H.

Název v anglickém jazyce

On nanometer ordering in thin amorphous hydrogenated silicon

Popis výsledku anglicky

We investigated thin films of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) deposited by PECVD under increasing dilutions of silane plasma by hydrogen. We found out that under increasing additional hydrogen at the depositions, thin films obtain less hydrogen bonded to silicon. The optical band gap energies determined from UV Vis transmittance and reflectance spectra were found to be increasing function of the dilution. We deduce that optical band gaps expanse due to the decreasing dimensions of silicon nanocrystals. They were calculated to be of 2 ? 4 nm which proves the medium-range order in a-Si:H.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Advances in Electrical and Electronic Engineering

ISSN

1336-1376

e-ISSN

—

Svazek periodika

7

Číslo periodika v rámci svazku

1-2

Stát vydavatele periodika

SK - Slovenská republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—