Transparent and conductive ZnO:Al prepared by Rf diode sputtering

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F08%3A00500271" target="_blank" >RIV/49777513:23640/08:00500271 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Transparent and conductive ZnO:Al prepared by Rf diode sputtering
Popis výsledku v původním jazyce
High transparent and conductive ZnO:Al thin film were prepared by RF diode sputtering from ZnO + 2 wt. % Al2O3 target on Corning glass substrates. The RF power and the substrate temperature modified their structure and surface morfology, electrical and optical parameters. The XRD patterns reveal a preferential c-axis orientation. The developed ZnO:Ale have a low electrical resistivity and high optical transmittance in the visible region. The direct optical band gap increases with the increasing carrierconcentration.
Název v anglickém jazyce
Transparent and conductive ZnO:Al prepared by Rf diode sputtering
Popis výsledku anglicky
High transparent and conductive ZnO:Al thin film were prepared by RF diode sputtering from ZnO + 2 wt. % Al2O3 target on Corning glass substrates. The RF power and the substrate temperature modified their structure and surface morfology, electrical and optical parameters. The XRD patterns reveal a preferential c-axis orientation. The developed ZnO:Ale have a low electrical resistivity and high optical transmittance in the visible region. The direct optical band gap increases with the increasing carrierconcentration.

Projekt
<a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)