Modification of AZO thin-film properties by annealing and ion etching

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F10%3A00503188" target="_blank" >RIV/49777513:23640/10:00503188 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Modification of AZO thin-film properties by annealing and ion etching

Popis výsledku v původním jazyce

Effects of annealing and ion etching on the structural, electrical and optical properties of sputtered ZnO:Al (AZO) thin films were investigated. The post-deposition annealing at temperatures TA = 200?400 °C in the forming gas (80% N2/20% H2) for 1 h andion RF-sputter etching after annealing were used. Ion-sputter etching rate was 7 nm/min. The surface topography changed noticeably after ion-sputter etching: the surface of the sample was rougher (Ra = 33 nm) in comparison with annealed sample only (Ra= 9 nm). After the post-deposition annealing temperature TA = 400 °C and ion-sputter etching thin films have higher integral transmittance (in the range of ? = 400?1000 nm) than non-etched samples. The figure of merit (F) became higher with increase of annealing temperature and the maximum value was F = 8%/? at TA = 400 °C (Rs = 10 ?, Tint = 86%).

Název v anglickém jazyce

Modification of AZO thin-film properties by annealing and ion etching

Popis výsledku anglicky

Effects of annealing and ion etching on the structural, electrical and optical properties of sputtered ZnO:Al (AZO) thin films were investigated. The post-deposition annealing at temperatures TA = 200?400 °C in the forming gas (80% N2/20% H2) for 1 h andion RF-sputter etching after annealing were used. Ion-sputter etching rate was 7 nm/min. The surface topography changed noticeably after ion-sputter etching: the surface of the sample was rougher (Ra = 33 nm) in comparison with annealed sample only (Ra= 9 nm). After the post-deposition annealing temperature TA = 400 °C and ion-sputter etching thin films have higher integral transmittance (in the range of ? = 400?1000 nm) than non-etched samples. The figure of merit (F) became higher with increase of annealing temperature and the maximum value was F = 8%/? at TA = 400 °C (Rs = 10 ?, Tint = 86%).

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Svazek periodika

84

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000270625900054

EID výsledku v databázi Scopus

—