Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Influence of Different Dopants on Physical Properties of ZnO for Photovoltaic Applications

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F10%3A00503377" target="_blank" >RIV/49777513:23640/10:00503377 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Influence of Different Dopants on Physical Properties of ZnO for Photovoltaic Applications

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper deals with influence of aluminum, gallium and scandium as dopants on structure, electrical and optical properties of zinc oxide (ZnO) thin films as a material suitable for photovoltaic applications. Mainly optical (integral transmittance, optical band-gap energy and refractive index), structural (biaxial lattice stress, micro-strains and crystallite size) and electrical (resistivity) properties were studied. Comparison between the physical properties of the materials with different dopant elements was performed.

  • Název v anglickém jazyce

    Influence of Different Dopants on Physical Properties of ZnO for Photovoltaic Applications

  • Popis výsledku anglicky

    The paper deals with influence of aluminum, gallium and scandium as dopants on structure, electrical and optical properties of zinc oxide (ZnO) thin films as a material suitable for photovoltaic applications. Mainly optical (integral transmittance, optical band-gap energy and refractive index), structural (biaxial lattice stress, micro-strains and crystallite size) and electrical (resistivity) properties were studied. Comparison between the physical properties of the materials with different dopant elements was performed.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings 27th International Conference on Microelectronics

  • ISBN

    978-1-4244-7198-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, inc.

  • Místo vydání

    Niš

  • Místo konání akce

    Niš, Serbia

  • Datum konání akce

    1. 1. 2010

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku