Influence of Different Dopants on Physical Properties of ZnO for Photovoltaic Applications
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F10%3A00503377" target="_blank" >RIV/49777513:23640/10:00503377 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of Different Dopants on Physical Properties of ZnO for Photovoltaic Applications
Popis výsledku v původním jazyce
The paper deals with influence of aluminum, gallium and scandium as dopants on structure, electrical and optical properties of zinc oxide (ZnO) thin films as a material suitable for photovoltaic applications. Mainly optical (integral transmittance, optical band-gap energy and refractive index), structural (biaxial lattice stress, micro-strains and crystallite size) and electrical (resistivity) properties were studied. Comparison between the physical properties of the materials with different dopant elements was performed.
Název v anglickém jazyce
Influence of Different Dopants on Physical Properties of ZnO for Photovoltaic Applications
Popis výsledku anglicky
The paper deals with influence of aluminum, gallium and scandium as dopants on structure, electrical and optical properties of zinc oxide (ZnO) thin films as a material suitable for photovoltaic applications. Mainly optical (integral transmittance, optical band-gap energy and refractive index), structural (biaxial lattice stress, micro-strains and crystallite size) and electrical (resistivity) properties were studied. Comparison between the physical properties of the materials with different dopant elements was performed.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materiály a komponenty pro ochranu životního prostředí</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings 27th International Conference on Microelectronics
ISBN
978-1-4244-7198-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Electron Devices Society of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, inc.
Místo vydání
Niš
Místo konání akce
Niš, Serbia
Datum konání akce
1. 1. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—