Growth of nanostructured anatase TiO2 films by pulsed laser deposition
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F12%3A43916268" target="_blank" >RIV/49777513:23640/12:43916268 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
slovinština
Název v původním jazyce
Rast nanoštrukturovaných TiO2 anatásových vrstiev pomocou pulznej laserovej depozície
Popis výsledku v původním jazyce
Článek je zaměřen na růst nanostrukturovaných anatasových tenkých vrstev TiO2 deponovaných pulsní laserovou depozicí (PLD). Vrstvy byly vytvořeny ve dvou krocích. První krok sestával z růstu pomocí PLD (při pokojové teplotě a 77 K) a druhý krok zahrnovalžíhání při 600 °C po dobu 60 minut. Výsledné vrstvy v původním stavu byly amorfní, porézní při obou depozičních teplotách. Více porózní struktura byla nalezena na vzorcích s chlazeným substrátem. Následné žíhání způsobilo transformaci amorfního stavu dočisté anatasové fáze, což je slibuje vlastnosti pro fotokatalytické aplikace.
Název v anglickém jazyce
Growth of nanostructured anatase TiO2 films by pulsed laser deposition
Popis výsledku anglicky
The article deals with growth of nanostructured TiO2 anatase thin films deposited by pulsed laser deposition (PLD). The films were prepared by two-steps technology. The first step consisted of growth by PLD (at room temperature or 77 K) and second step included annealing at 600 °C for 60 minutes. Resulted as-deposited films were porous amorphous in both temperatures with finer and more porous structure in cooled substrates. Subsequent annealing caused transformation of amorphous state to pure anatase phase which is promising for photocatalytic applications.
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
V - Vyzkumna aktivita podporovana z jinych verejnych zdroju
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů