Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in Si3N4 matrix

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43924672" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43924672 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in Si3N4 matrix

Popis výsledku v původním jazyce

Deposition technology of multi-layered absorption films with silicon nano-crystals vertically separated by Si3N4 dielectric layers has been developed. According to thickness of the silicon sub-layers and deposition technology used (chemical or physical deposition) average dimensions of silicon nano-crystals from 3 to 14 nm in diameter were obtained. As expected, the quantum size effect was more distinctive in smaller crystals, and this effect was also observed in initial as deposited a-Si:H/SiO2 films (one-dimensional quantum size effect - suitable also for photonic applications). Although, approximately the same results were obtained by using SiO2 and Si3N4 dielectric layers, nevertheless, the difference between SiO2 and Si3N4 is that the potential barriers created on the borders of the silicon crystals have different height.

Název v anglickém jazyce

Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in Si3N4 matrix

Popis výsledku anglicky

Deposition technology of multi-layered absorption films with silicon nano-crystals vertically separated by Si3N4 dielectric layers has been developed. According to thickness of the silicon sub-layers and deposition technology used (chemical or physical deposition) average dimensions of silicon nano-crystals from 3 to 14 nm in diameter were obtained. As expected, the quantum size effect was more distinctive in smaller crystals, and this effect was also observed in initial as deposited a-Si:H/SiO2 films (one-dimensional quantum size effect - suitable also for photonic applications). Although, approximately the same results were obtained by using SiO2 and Si3N4 dielectric layers, nevertheless, the difference between SiO2 and Si3N4 is that the potential barriers created on the borders of the silicon crystals have different height.

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu

NTC-OTE-14-011

Číselná identifikace

—

Technické parametry

K přípravě multivrstev Si3N4/nc-Si se využívá PECVD aparatura SAMCO 220NA a k tepelnému zpracování vysokoteplotní komora AP 1200, která je součástí rtg difraktometru X'Pert Pro, tudíž lze současně sledovat "in situ" fázové transformace. Proces lze snadnopřenést na jiná podobná zařízení. Výsledek byl vytvořen, ověřen a uplatněn ve výrobě. David Lávička, Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), Nové technologie - výzkumné centrum, Univerzitní 8, 306 14 Plzeň, 377634714, dlavicka@ntc.zcu.cz. http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/ot/NTC-OTE-14-011.html

Ekonomické parametry

Výsledek je využíván příjemcem Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), ekonomické parametry se neuvádějí

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

49777513

Název vlastníka

Západočeská univerzita v Plzni

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Požadavek na licenční poplatek

—

Adresa www stránky s výsledkem

—