Deposition technology of periodically structured photonic materials with spatial-controlled crystallization of silicon.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43924671" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43924671 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Deposition technology of periodically structured photonic materials with spatial-controlled crystallization of silicon.

Popis výsledku v původním jazyce

Deposition technology of multi-layered absorption films with silicon nano-crystals vertically separated by SiO2 or Si3N4 dielectric layers for photonic applications has been developed. Photonic properties of materials occur when material is anisotropic or inhomogeneous from relative permitivity point of view. That goes also for an inhomogeneous optical material bordering with a material having different refractive index. Apart from the multi-layered structures having materials with different refractiveindex, a micro-crystalline silicon containing with various volume content of amorphous and crystalline phases and micro-voids, has also distinctive photonic properties (every phase mentioned above has different refractive index).

Název v anglickém jazyce

Deposition technology of periodically structured photonic materials with spatial-controlled crystallization of silicon.

Popis výsledku anglicky

Deposition technology of multi-layered absorption films with silicon nano-crystals vertically separated by SiO2 or Si3N4 dielectric layers for photonic applications has been developed. Photonic properties of materials occur when material is anisotropic or inhomogeneous from relative permitivity point of view. That goes also for an inhomogeneous optical material bordering with a material having different refractive index. Apart from the multi-layered structures having materials with different refractiveindex, a micro-crystalline silicon containing with various volume content of amorphous and crystalline phases and micro-voids, has also distinctive photonic properties (every phase mentioned above has different refractive index).

Druh

Z_tech - Ověřená technologie

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centrum nových technologií a materiálů (CENTEM)</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu

NTC-OTE-14-012

Číselná identifikace

—

Technické parametry

K přípravě multivrstev Si3N4/nc-Si se využívá PECVD aparatura SAMCO 220NA a k tepelnému zpracování vysokoteplotní komora AP 1200, která je součástí rtg difraktometru X'Pert Pro, tudíž lze současně sledovat "in situ" fázové transformace. Proces lze snadnopřenést na jiná podobná zařízení. David Lávička, Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), Nové technologie - výzkumné centrum, Univerzitní 8, 306 14 Plzeň, 377634714, dlavicka@ntc.zcu.cz. http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/ot/NTC-OTE-14-012.html

Ekonomické parametry

Výsledek je využíván příjemcem Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), ekonomické parametry se neuvádějí

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

49777513

Název vlastníka

Západočeská univerzita v Plzni

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Požadavek na licenční poplatek

—

Adresa www stránky s výsledkem

—