Ozone oxidation methods for aluminum oxide formation: Application to low-voltage organic transistors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F15%3A43925354" target="_blank" >RIV/49777513:23640/15:43925354 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.03.007" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.03.007</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.03.007" target="_blank" >10.1016/j.orgel.2015.03.007</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ozone oxidation methods for aluminum oxide formation: Application to low-voltage organic transistors

Popis výsledku v původním jazyce

oxidu hlinitého pro tenkovrstvé organické tranzistory. Jsou to UV/ozonová oxidace v prostředí (UV-AA) a suchého (UV-DA) vzduchu, UV/ozonová oxidace kombinovaná s vysoko napěťovým výbojem generovaného ozonu v suchém vzduchu (UV+O3-DA) a výbojem generovanýozon v suchém vzduchu (O3-DA). Nedostatek vysoko energetických UV fotonů během O3-DA oxidace vede k nízké relativní permitivitě a k vysoké hustotě svodového proudu AlOx vrstvy což se ukázalo jako nevhodné pro dielektrickou vrstvu tranzistoru. Ačkoliv tato oxidace vedla k zabudování kyslíku do vrstvy, FTIR analýza potvrdila vysokou koncentraci sub-povrchového kyslíku, zatím co XPS dala nejvyšší podíl neoxidovaného hliníku ze všech čtyř metod. Zbylé tři oxidační metody produkovaly AlOx vrstvy o tloušťcedosahující 7 nm (2 hodiny oxidačního času), relativní permitivitu mezi 6.61 a 7,25, svodovou proudovou hustotu (1-7)x10-7 A/cm2 při MV/cm a byly úspěšně implementovány do tenkovrstvých organických tranzistorů založených na DNTT. Všechny o

Název v anglickém jazyce

Ozone oxidation methods for aluminum oxide formation: Application to low-voltage organic transistors

Popis výsledku anglicky

oxidu hlinitého pro tenkovrstvé organické tranzistory. Jsou to UV/ozonová oxidace v prostředí (UV-AA) a suchého (UV-DA) vzduchu, UV/ozonová oxidace kombinovaná s vysoko napěťovým výbojem generovaného ozonu v suchém vzduchu (UV+O3-DA) a výbojem generovanýozon v suchém vzduchu (O3-DA). Nedostatek vysoko energetických UV fotonů během O3-DA oxidace vede k nízké relativní permitivitě a k vysoké hustotě svodového proudu AlOx vrstvy což se ukázalo jako nevhodné pro dielektrickou vrstvu tranzistoru. Ačkoliv tato oxidace vedla k zabudování kyslíku do vrstvy, FTIR analýza potvrdila vysokou koncentraci sub-povrchového kyslíku, zatím co XPS dala nejvyšší podíl neoxidovaného hliníku ze všech čtyř metod. Zbylé tři oxidační metody produkovaly AlOx vrstvy o tloušťcedosahující 7 nm (2 hodiny oxidačního času), relativní permitivitu mezi 6.61 a 7,25, svodovou proudovou hustotu (1-7)x10-7 A/cm2 při MV/cm a byly úspěšně implementovány do tenkovrstvých organických tranzistorů založených na DNTT. Všechny o

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Organic Electronics

ISSN

1566-1199

e-ISSN

—

Svazek periodika

21

Číslo periodika v rámci svazku

červen 2015

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

132-137

Kód UT WoS článku

000352499100018

EID výsledku v databázi Scopus

—