Revealing the optoelectronic and thermoelectric properties of the Zintl quaternary Arsenides ACdGeAs2 (A= K, Rb)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F15%3A43925972" target="_blank" >RIV/49777513:23640/15:43925972 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.materresbull.2015.05.044" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.materresbull.2015.05.044</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.materresbull.2015.05.044" target="_blank" >10.1016/j.materresbull.2015.05.044</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Revealing the optoelectronic and thermoelectric properties of the Zintl quaternary Arsenides ACdGeAs2 (A= K, Rb)
Popis výsledku v původním jazyce
Chalcopyrite semiconductors have attracted much attention due to their potential implications in photovoltaic and thermoelectric applications. First principle calculations were performed to investigate the electronic, optical and thermoelectric properties of the Zintl tetragonal phase ACdGeAs2 (A = K, Rb) using the full potential linear augmented plane wave method and the Engle-Vosko GGA (EV-GGA) approximation. The present compounds are found semiconductors with direct band gap and covalent bonding character. The optical transitions are investigated via the dielectric function (real and imaginary parts) along with other related optical constants including refractive index, reflectivity and energy-loss spectrum. Combining results from DFT and Boltzmanntransport theory, we reported the thermoelectric properties such as the Seebeck's coefficient, electrical and thermal conductivity, figure of merit and power factor as function of temperatures. The present Chalcopyrite Zintl quaternary Ar
Název v anglickém jazyce
Revealing the optoelectronic and thermoelectric properties of the Zintl quaternary Arsenides ACdGeAs2 (A= K, Rb)
Popis výsledku anglicky
Chalcopyrite semiconductors have attracted much attention due to their potential implications in photovoltaic and thermoelectric applications. First principle calculations were performed to investigate the electronic, optical and thermoelectric properties of the Zintl tetragonal phase ACdGeAs2 (A = K, Rb) using the full potential linear augmented plane wave method and the Engle-Vosko GGA (EV-GGA) approximation. The present compounds are found semiconductors with direct band gap and covalent bonding character. The optical transitions are investigated via the dielectric function (real and imaginary parts) along with other related optical constants including refractive index, reflectivity and energy-loss spectrum. Combining results from DFT and Boltzmanntransport theory, we reported the thermoelectric properties such as the Seebeck's coefficient, electrical and thermal conductivity, figure of merit and power factor as function of temperatures. The present Chalcopyrite Zintl quaternary Ar
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BE - Teoretická fyzika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Materials Research Buletin
ISSN
0025-5408
e-ISSN
—
Svazek periodika
70
Číslo periodika v rámci svazku
říjen 2015
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
847-855
Kód UT WoS článku
000359873700129
EID výsledku v databázi Scopus
—