Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Thickness dependent wetting properties and surface free energy of HfO2 thin films

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F16%3A43928833" target="_blank" >RIV/49777513:23640/16:43928833 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/49777513:23520/16:43928833

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4953262" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4953262</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4953262" target="_blank" >10.1063/1.4953262</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Thickness dependent wetting properties and surface free energy of HfO2 thin films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We show here that intrinsic hydrophobicity of HfO2 thin films can be easily tuned by the variation of film thickness. We used the reactive high-power impulse magnetron sputtering for preparation of high-quality HfO2 films with smooth topography and well-controlled thickness. Results show a strong dependence of wetting properties on the thickness of the film in the range of 50-250 nm due to the dominance of the electrostatic Lifshitz-van der Waals component of the surface free energy. We have found the water droplet contact angle ranging from ALMOST EQUAL TO120o for the thickness of 50 nm to 100o for the thickness of 2300 nm. At the same time the surface free energy grows from ALMOST EQUAL TO25 mJ/m^2 for the thickness of 50 nm to ALMOST EQUAL TO33 mJ/m^2 for the thickness of 2300 nm. We propose two explanations for the observed thickness dependence of the wetting properties: influence of the non-dominant texture and/or non-monotonic size dependence of the particle surface energy.

  • Název v anglickém jazyce

    Thickness dependent wetting properties and surface free energy of HfO2 thin films

  • Popis výsledku anglicky

    We show here that intrinsic hydrophobicity of HfO2 thin films can be easily tuned by the variation of film thickness. We used the reactive high-power impulse magnetron sputtering for preparation of high-quality HfO2 films with smooth topography and well-controlled thickness. Results show a strong dependence of wetting properties on the thickness of the film in the range of 50-250 nm due to the dominance of the electrostatic Lifshitz-van der Waals component of the surface free energy. We have found the water droplet contact angle ranging from ALMOST EQUAL TO120o for the thickness of 50 nm to 100o for the thickness of 2300 nm. At the same time the surface free energy grows from ALMOST EQUAL TO25 mJ/m^2 for the thickness of 50 nm to ALMOST EQUAL TO33 mJ/m^2 for the thickness of 2300 nm. We propose two explanations for the observed thickness dependence of the wetting properties: influence of the non-dominant texture and/or non-monotonic size dependence of the particle surface energy.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JJ - Ostatní materiály

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    APPLIED PHYSICS LETTERS

  • ISSN

    0003-6951

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    108

  • Číslo periodika v rámci svazku

    23

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    '231602-1'-'231602-5'

  • Kód UT WoS článku

    000378924700010

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84974529225