Operando Imaging of All-Electric Spin Texture Manipulation in Ferroelectric and Multiferroic Rashba Semiconductors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F18%3A43952712" target="_blank" >RIV/49777513:23640/18:43952712 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevX.8.021067" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevX.8.021067</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevX.8.021067" target="_blank" >10.1103/PhysRevX.8.021067</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Operando Imaging of All-Electric Spin Texture Manipulation in Ferroelectric and Multiferroic Rashba Semiconductors
Popis výsledku v původním jazyce
The control of the electron spin by external means is a key issue for spintronic devices. Using spin- and angle-resolved photoemission spectroscopy (SARPES) with three-dimensional spin detection, we demonstrate operando electrostatic spin manipulation in ferroelectric α-GeTe and multiferroic Ge1−xMnxTe. We demonstrate for the first time electrostatic spin manipulation in Rashba semiconductors due to ferroelectric polarization reversal. Additionally, we are also able to follow the switching pathway in detail. In multiferroic Ge1−xMnxTe operando SARPES reveals switching of the perpendicular spin component due to electric-field-induced magnetization reversal. This provides firm evidence of magnetoelectric coupling which opens up functionality with a multitude of spin-switching paths in which the magnetic and electric order parameters are coupled through ferroelastic relaxation paths. This workthusprovidesanewtypeofmagnetoelectricswitchingintertwinedwithRashba-Zeemansplittingina multiferroic syste
Název v anglickém jazyce
Operando Imaging of All-Electric Spin Texture Manipulation in Ferroelectric and Multiferroic Rashba Semiconductors
Popis výsledku anglicky
The control of the electron spin by external means is a key issue for spintronic devices. Using spin- and angle-resolved photoemission spectroscopy (SARPES) with three-dimensional spin detection, we demonstrate operando electrostatic spin manipulation in ferroelectric α-GeTe and multiferroic Ge1−xMnxTe. We demonstrate for the first time electrostatic spin manipulation in Rashba semiconductors due to ferroelectric polarization reversal. Additionally, we are also able to follow the switching pathway in detail. In multiferroic Ge1−xMnxTe operando SARPES reveals switching of the perpendicular spin component due to electric-field-induced magnetization reversal. This provides firm evidence of magnetoelectric coupling which opens up functionality with a multitude of spin-switching paths in which the magnetic and electric order parameters are coupled through ferroelastic relaxation paths. This workthusprovidesanewtypeofmagnetoelectricswitchingintertwinedwithRashba-Zeemansplittingina multiferroic syste
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/EF15_003%2F0000358" target="_blank" >EF15_003/0000358: Výpočetní a experimentální design pokročilých materiálů s novými funkcionalitami</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review X
ISSN
2160-3308
e-ISSN
—
Svazek periodika
8
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
11
Strana od-do
"NESTRÁNKOVÁNO"
Kód UT WoS článku
000435446200001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85049629606