Enhanced oxidation of TiO2 films prepared by high power impulse magnetron sputtering running in metallic mode
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60076658%3A12310%2F17%3A43895393" target="_blank" >RIV/60076658:12310/17:43895393 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/17:00486984
Výsledek na webu
<a href="http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4977825" target="_blank" >http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4977825</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4977825" target="_blank" >10.1063/1.4977825</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Enhanced oxidation of TiO2 films prepared by high power impulse magnetron sputtering running in metallic mode
Popis výsledku v původním jazyce
A method is introduced that allows suppressing unwanted effects of target poisoning during reactive high-power impulse magnetron sputtering (R-HiPIMS) employed for deposition of oxide films. The method, based on higher reactivity of excited/activated oxygen species, is studied and demonstrated on TiO2 films deposited in R-HiPIMS discharge running very close to the metallic mode with a high deposition rate. An external source of energetic plasma that activates oxygen gas, delivered to the vicinity of the substrate, is combined with conventional R-HiPIMS of the Ti target. The activated oxygen species enable reducing the total flow rate, which simultaneously results in suppression of the target poisoning effect. On the other hand, sufficient oxidation and growth of transparent crystalline TiO2 films were observed. Published by AIP Publishing.
Název v anglickém jazyce
Enhanced oxidation of TiO2 films prepared by high power impulse magnetron sputtering running in metallic mode
Popis výsledku anglicky
A method is introduced that allows suppressing unwanted effects of target poisoning during reactive high-power impulse magnetron sputtering (R-HiPIMS) employed for deposition of oxide films. The method, based on higher reactivity of excited/activated oxygen species, is studied and demonstrated on TiO2 films deposited in R-HiPIMS discharge running very close to the metallic mode with a high deposition rate. An external source of energetic plasma that activates oxygen gas, delivered to the vicinity of the substrate, is combined with conventional R-HiPIMS of the Ti target. The activated oxygen species enable reducing the total flow rate, which simultaneously results in suppression of the target poisoning effect. On the other hand, sufficient oxidation and growth of transparent crystalline TiO2 films were observed. Published by AIP Publishing.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
e-ISSN
—
Svazek periodika
121
Číslo periodika v rámci svazku
17
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000400623700016
EID výsledku v databázi Scopus
—