Bandgap characters in GaAs-based ternary alloys
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60076658%3A12640%2F10%3A00012448" target="_blank" >RIV/60076658:12640/10:00012448 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Bandgap characters in GaAs-based ternary alloys
Popis výsledku v původním jazyce
The existence and origins of the bowing character in the bandgap variation of GaAs-based ternary alloys arc theoretically investigated based on two different computational methods. Within the framework of the virtual crystal approximation (VCA), both theempirical sp(3)s* tight-binding (TB) method with, and without, the inclusion of the spin-orbit coupling effects, and the first-principle full-potential linear augmented plane wave (FP-LAPW) technique are applied on both the common-cation GaSbxAs1-x andthe common-anion Ga1-xInxAs alloys. These methods are used to calculate the bandgap energy, the partial and total densities of states and the constituent charge ionicity versus the composition x. The results show that the bowing behavior exists in the case of common-cation alloys (GaSbxAs1-x) as a manifestation of a competition between the anion atoms (As and Sb) in trapping the made-available-cationic charges. The bowing parameter is found to be proportional to the electronegativity cha
Název v anglickém jazyce
Bandgap characters in GaAs-based ternary alloys
Popis výsledku anglicky
The existence and origins of the bowing character in the bandgap variation of GaAs-based ternary alloys arc theoretically investigated based on two different computational methods. Within the framework of the virtual crystal approximation (VCA), both theempirical sp(3)s* tight-binding (TB) method with, and without, the inclusion of the spin-orbit coupling effects, and the first-principle full-potential linear augmented plane wave (FP-LAPW) technique are applied on both the common-cation GaSbxAs1-x andthe common-anion Ga1-xInxAs alloys. These methods are used to calculate the bandgap energy, the partial and total densities of states and the constituent charge ionicity versus the composition x. The results show that the bowing behavior exists in the case of common-cation alloys (GaSbxAs1-x) as a manifestation of a competition between the anion atoms (As and Sb) in trapping the made-available-cationic charges. The bowing parameter is found to be proportional to the electronegativity cha
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BO - Biofyzika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Crystal Research and Technology
ISSN
0232-1300
e-ISSN
—
Svazek periodika
45
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
11
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000274058500010
EID výsledku v databázi Scopus
—