Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Bandgap characters in GaAs-based ternary alloys

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60076658%3A12640%2F10%3A00012448" target="_blank" >RIV/60076658:12640/10:00012448 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Bandgap characters in GaAs-based ternary alloys

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The existence and origins of the bowing character in the bandgap variation of GaAs-based ternary alloys arc theoretically investigated based on two different computational methods. Within the framework of the virtual crystal approximation (VCA), both theempirical sp(3)s* tight-binding (TB) method with, and without, the inclusion of the spin-orbit coupling effects, and the first-principle full-potential linear augmented plane wave (FP-LAPW) technique are applied on both the common-cation GaSbxAs1-x andthe common-anion Ga1-xInxAs alloys. These methods are used to calculate the bandgap energy, the partial and total densities of states and the constituent charge ionicity versus the composition x. The results show that the bowing behavior exists in the case of common-cation alloys (GaSbxAs1-x) as a manifestation of a competition between the anion atoms (As and Sb) in trapping the made-available-cationic charges. The bowing parameter is found to be proportional to the electronegativity cha

  • Název v anglickém jazyce

    Bandgap characters in GaAs-based ternary alloys

  • Popis výsledku anglicky

    The existence and origins of the bowing character in the bandgap variation of GaAs-based ternary alloys arc theoretically investigated based on two different computational methods. Within the framework of the virtual crystal approximation (VCA), both theempirical sp(3)s* tight-binding (TB) method with, and without, the inclusion of the spin-orbit coupling effects, and the first-principle full-potential linear augmented plane wave (FP-LAPW) technique are applied on both the common-cation GaSbxAs1-x andthe common-anion Ga1-xInxAs alloys. These methods are used to calculate the bandgap energy, the partial and total densities of states and the constituent charge ionicity versus the composition x. The results show that the bowing behavior exists in the case of common-cation alloys (GaSbxAs1-x) as a manifestation of a competition between the anion atoms (As and Sb) in trapping the made-available-cationic charges. The bowing parameter is found to be proportional to the electronegativity cha

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BO - Biofyzika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Crystal Research and Technology

  • ISSN

    0232-1300

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    45

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    11

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000274058500010

  • EID výsledku v databázi Scopus