Lifetime estimation with thermal models of semiconductors.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F10%3A00424281" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/10:00424281 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Lifetime estimation with thermal models of semiconductors.

Popis výsledku v původním jazyce

Lifetime of power electronics is seriously limited by the thermal ambience and therefore a detailed thermal design on power electronics is desirable. For evaluating the lifetime of power electronics, information is required on the thermal cycling of thepower electronics components. Especially the semiconductors are vulnerable to a high temperature and thermal cycling. In this paper the combined modeling and simulation of electrical and thermal behavior of semiconductors is discussed. The models for thesemiconductors, being the MOSFET, IGBT and DIODE are briefly introduced and their most important parameters are highlighted. The thermal models for semiconductors are discussed and how they are connected to the semiconductors. A series of measurements are shown for the MOSFET, IGBT and DIODE and these results are compared with simulations.

Název v anglickém jazyce

Lifetime estimation with thermal models of semiconductors.

Popis výsledku anglicky

Lifetime of power electronics is seriously limited by the thermal ambience and therefore a detailed thermal design on power electronics is desirable. For evaluating the lifetime of power electronics, information is required on the thermal cycling of thepower electronics components. Especially the semiconductors are vulnerable to a high temperature and thermal cycling. In this paper the combined modeling and simulation of electrical and thermal behavior of semiconductors is discussed. The models for thesemiconductors, being the MOSFET, IGBT and DIODE are briefly introduced and their most important parameters are highlighted. The thermal models for semiconductors are discussed and how they are connected to the semiconductors. A series of measurements are shown for the MOSFET, IGBT and DIODE and these results are compared with simulations.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

KA - Vojenství

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F0013" target="_blank" >GA102/09/0013: Bi-direkcionální DC-DC měniče fotovoltaických systémů s využitím sledovače maximálního výkonu</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the IEEE Energy Conversion Congress & Expo (ECCE 2010)

ISBN

978-1-4244-5286-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

—

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Atlanta, USA

Místo konání akce

Atlanta, USA

Datum konání akce

1. 1. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—