Memristor modeling in MATLAB?&Simulink?

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F11%3A00436881" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/11:00436881 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://vavtest.unob.cz/registr" target="_blank" >http://vavtest.unob.cz/registr</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Memristor modeling in MATLAB?&Simulink?

Popis výsledku v původním jazyce

The article deals with various ways of memristor modeling and simulation in the MATLAB?&Simulink? environment. Recently used and published mathematical memristor model serves as a base, regarding all known features of its behavior. Three different approaches in the MATLAB&Simulink system are used for the differential and other equations formulation. The first one employs the standard system core offer for the Ordinary Differential Equations solutions (ODE) in the form of an m-file. The second approach is the model construction in Simulink environment. The third approach employs so-called physical modeling using the built-in SimscapeTM system. The output data are the basic memristor characteristics and appropriate time courses. The features of all models are discussed, especially regarding the computer simulation. Possible problems that may occur during modeling are pointed.

Název v anglickém jazyce

Memristor modeling in MATLAB?&Simulink?

Popis výsledku anglicky

The article deals with various ways of memristor modeling and simulation in the MATLAB?&Simulink? environment. Recently used and published mathematical memristor model serves as a base, regarding all known features of its behavior. Three different approaches in the MATLAB&Simulink system are used for the differential and other equations formulation. The first one employs the standard system core offer for the Ordinary Differential Equations solutions (ODE) in the form of an m-file. The second approach is the model construction in Simulink environment. The third approach employs so-called physical modeling using the built-in SimscapeTM system. The output data are the basic memristor characteristics and appropriate time courses. The features of all models are discussed, especially regarding the computer simulation. Possible problems that may occur during modeling are pointed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the WSEAS European Computing Conference - ECC?11

ISBN

978-960-474-297-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

62-67

Název nakladatele

WSEAS

Místo vydání

Paris

Místo konání akce

Paris

Datum konání akce

1. 1. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—