Pinched hysteretic loops of ideal memristors, memcapacitors and meminductors must be "self-crossing"

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F11%3A00448292" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/11:00448292 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216305:26220/11:PU95493

Výsledek na webu

<a href="http://vavtest.unob.cz/registr" target="_blank" >http://vavtest.unob.cz/registr</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Pinched hysteretic loops of ideal memristors, memcapacitors and meminductors must be "self-crossing"

Popis výsledku v původním jazyce

Recently, novel findings have been published according to which some mem-systems excited by harmonic signals can be characterized by the so-called "non-crossing type pinched hysteretic loops". This Letter presents a proof that this phenomenon cannot occur in ideal memristors, memcapacitors and meminductors which are defined axiomatically via the corresponding constitutive relations or via other equivalent characteristics, and that the "crossing-type hysteretic loop" is thus one of their typical fingerprints.

Název v anglickém jazyce

Pinched hysteretic loops of ideal memristors, memcapacitors and meminductors must be "self-crossing"

Popis výsledku anglicky

Recently, novel findings have been published according to which some mem-systems excited by harmonic signals can be characterized by the so-called "non-crossing type pinched hysteretic loops". This Letter presents a proof that this phenomenon cannot occur in ideal memristors, memcapacitors and meminductors which are defined axiomatically via the corresponding constitutive relations or via other equivalent characteristics, and that the "crossing-type hysteretic loop" is thus one of their typical fingerprints.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP102%2F10%2F1614" target="_blank" >GAP102/10/1614: Memristivní, memkapacitivní a meminduktivní systémy: základní výzkum, modelování a simulace</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Electronics Letters

ISSN

0013-5194

e-ISSN

—

Svazek periodika

47

Číslo periodika v rámci svazku

25

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

1385-1387

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—