Some Fingerprints of Ideal Memristors

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F14%3A00493957" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/14:00493957 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216305:26220/13:PU103726
Výsledek na webu
<a href="http://vavtest.unob.cz/registr" target="_blank" >http://vavtest.unob.cz/registr</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Some Fingerprints of Ideal Memristors
Popis výsledku v původním jazyce
Since there are many possible types of nonlinear charge-flux constitutive relations of ideal memristors, such elements can manifest various behavior, and the identification of typical memristor fingerprints from the measured data or simulator outputs canbe difficult in some cases. The aim of this paper is to reveal several fingerprints of ideal memristors, which extend the repertoire of hitherto published and currently well-known memristor fingerprints. These results can be useful for a clear and fastidentification of a system behavior that violates the principles of the operation of ideal memristors.
Název v anglickém jazyce
Some Fingerprints of Ideal Memristors
Popis výsledku anglicky
Since there are many possible types of nonlinear charge-flux constitutive relations of ideal memristors, such elements can manifest various behavior, and the identification of typical memristor fingerprints from the measured data or simulator outputs canbe difficult in some cases. The aim of this paper is to reveal several fingerprints of ideal memristors, which extend the repertoire of hitherto published and currently well-known memristor fingerprints. These results can be useful for a clear and fastidentification of a system behavior that violates the principles of the operation of ideal memristors.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
2013 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2013)
ISBN
978-1-4673-5762-3
ISSN
0271-4302
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
201-204
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Peking, Čína
Místo konání akce
Beijing, China
Datum konání akce
1. 1. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000332006800051

Podobné výsledky(10)