Differential Equations of Ideal Memristors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F15%3A00530472" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/15:00530472 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216305:26220/15:PU114445

Výsledek na webu

<a href="http://vavtest.unob.cz/registr" target="_blank" >http://vavtest.unob.cz/registr</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.13164/re.2015.0369" target="_blank" >10.13164/re.2015.0369</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Differential Equations of Ideal Memristors

Popis výsledku v původním jazyce

Ideal memristor is a resistor with a memory, which adds dynamics to its behavior. The most usual characteristics describing this dynamics are the constitutive relation (i.e. the relation between flux and charge), or Parameter-vs-state map (PSM), mostly represented by the memristance-to-charge dependence. One of the so far unheeded tools for memristor description is its differential equation (DEM), composed exclusively of instantaneous values of voltage, current, and their derivatives. The article derives a general form of DEM that holds for any ideal memristor and shows that it is always a nonlinear equation of the first order; the PSM forms are found for memristors which are governed by DEMs of the Bernoulli and the Riccati types; a classification of memristors according to the type of their dynamics with respect to voltage and current is carried out.

Název v anglickém jazyce

Differential Equations of Ideal Memristors

Popis výsledku anglicky

Ideal memristor is a resistor with a memory, which adds dynamics to its behavior. The most usual characteristics describing this dynamics are the constitutive relation (i.e. the relation between flux and charge), or Parameter-vs-state map (PSM), mostly represented by the memristance-to-charge dependence. One of the so far unheeded tools for memristor description is its differential equation (DEM), composed exclusively of instantaneous values of voltage, current, and their derivatives. The article derives a general form of DEM that holds for any ideal memristor and shows that it is always a nonlinear equation of the first order; the PSM forms are found for memristors which are governed by DEMs of the Bernoulli and the Riccati types; a classification of memristors according to the type of their dynamics with respect to voltage and current is carried out.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Radioengineering

ISSN

1210-2512

e-ISSN

—

Svazek periodika

24

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

369-377

Kód UT WoS článku

000356907700003

EID výsledku v databázi Scopus

—