Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Voltage-Current Differential Equations of Extended Memristors with One-Dimensional State

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F17%3APU126097" target="_blank" >RIV/00216305:26220/17:PU126097 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/60162694:G43__/17:00534843

  • Výsledek na webu

    <a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/8424307" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/8424307</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/AMS.2017.17" target="_blank" >10.1109/AMS.2017.17</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Voltage-Current Differential Equations of Extended Memristors with One-Dimensional State

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The extended memristor is characterized by its port equation as state-dependent Ohm's law and by the state equation describing its dynamics. Its equivalent model is the differential equation (DE) between the memristor voltage, current, and their derivatives with respect to time. The paper presents the derivation of a general form of the DE for arbitrary extended memristors with scalar, i.e. one-dimensional state. It is shown that this DE is always a first-order nonlinear equation. DEs for the hyperbolic model of the Hewlett-Packard memristor with the Joglekar window function and also for some representatives of generic memristors are presented.

  • Název v anglickém jazyce

    Voltage-Current Differential Equations of Extended Memristors with One-Dimensional State

  • Popis výsledku anglicky

    The extended memristor is characterized by its port equation as state-dependent Ohm's law and by the state equation describing its dynamics. Its equivalent model is the differential equation (DE) between the memristor voltage, current, and their derivatives with respect to time. The paper presents the derivation of a general form of the DE for arbitrary extended memristors with scalar, i.e. one-dimensional state. It is shown that this DE is always a first-order nonlinear equation. DEs for the hyperbolic model of the Hewlett-Packard memristor with the Joglekar window function and also for some representatives of generic memristors are presented.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10201 - Computer sciences, information science, bioinformathics (hardware development to be 2.2, social aspect to be 5.8)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    AMS2017

  • ISBN

    978-1-5386-3752-4

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    58-62

  • Název nakladatele

    IEEE

  • Místo vydání

    Nottingham, UK

  • Místo konání akce

    Kota Kinabalu

  • Datum konání akce

    4. 12. 2017

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000463832900008