Fourth Fundamental Circuit Element: SPICE Modeling and Simulation
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F14%3A00499408" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/14:00499408 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216305:26220/14:PU107399
Výsledek na webu
<a href="http://vavtest.unob.cz/registr" target="_blank" >http://vavtest.unob.cz/registr</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Fourth Fundamental Circuit Element: SPICE Modeling and Simulation
Popis výsledku v původním jazyce
This chapter deals with two possible stages of exploring the memristor as the fourth fundamental circuit element: (1) generation of the model and (2) simulation of the element behavior with the aid of the model. The initial stage, i.e. modeling of the two-terminal device, belonging to the family of memristors, should be based on the basic rules of a ?correct modeling? as proposed by L. Chua. These rules are brought up in the introductory part of the chapter. The characteristics, defining the memristor,in particular the port and state equations, the constitutive relation, and the parameter-vs.-state-map, are the starting points of such a ?correct modeling.? Several memristor fingerprints (FPs), which can be deduced from the above characteristics, are summarized. Their knowledge can be useful for determining whether the memristor model, irrespective of its nature (mathematical, software- or hardware-implemented) behaves correctly. Some methods for the implementation of memristor models
Název v anglickém jazyce
Fourth Fundamental Circuit Element: SPICE Modeling and Simulation
Popis výsledku anglicky
This chapter deals with two possible stages of exploring the memristor as the fourth fundamental circuit element: (1) generation of the model and (2) simulation of the element behavior with the aid of the model. The initial stage, i.e. modeling of the two-terminal device, belonging to the family of memristors, should be based on the basic rules of a ?correct modeling? as proposed by L. Chua. These rules are brought up in the introductory part of the chapter. The characteristics, defining the memristor,in particular the port and state equations, the constitutive relation, and the parameter-vs.-state-map, are the starting points of such a ?correct modeling.? Several memristor fingerprints (FPs), which can be deduced from the above characteristics, are summarized. Their knowledge can be useful for determining whether the memristor model, irrespective of its nature (mathematical, software- or hardware-implemented) behaves correctly. Some methods for the implementation of memristor models
Klasifikace
Druh
C - Kapitola v odborné knize
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP102%2F10%2F1614" target="_blank" >GAP102/10/1614: Memristivní, memkapacitivní a meminduktivní systémy: základní výzkum, modelování a simulace</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název knihy nebo sborníku
Memristors and Memristive Systems
ISBN
978-1-4614-9067-8
Počet stran výsledku
58
Strana od-do
105-162
Počet stran knihy
409
Název nakladatele
Springer New York
Místo vydání
New York, USA
Kód UT WoS kapitoly
—