Memristive Two-Ports
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60162694%3AG43__%2F17%3A00534600" target="_blank" >RIV/60162694:G43__/17:00534600 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216305:26220/17:PU125220
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/PATMOS.2017.8106954" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/PATMOS.2017.8106954</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/PATMOS.2017.8106954" target="_blank" >10.1109/PATMOS.2017.8106954</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Memristive Two-Ports
Popis výsledku v původním jazyce
In the paper, the memristive two-port is defined via its constitutive relation as a two-dimensional surface in a fourdimensional space of the port charges and fluxes. It follows from six possible representations of this two-port that it can be modeled via classical two-terminal memristors /memductors, complemented by four types of memristive controlled sources, each of them being controlled by two state variables. Two examples of the memristive two-port are analyzed, viz. the circuit with mutual memristors and the memristive transformer.
Název v anglickém jazyce
Memristive Two-Ports
Popis výsledku anglicky
In the paper, the memristive two-port is defined via its constitutive relation as a two-dimensional surface in a fourdimensional space of the port charges and fluxes. It follows from six possible representations of this two-port that it can be modeled via classical two-terminal memristors /memductors, complemented by four types of memristive controlled sources, each of them being controlled by two state variables. Two examples of the memristive two-port are analyzed, viz. the circuit with mutual memristors and the memristive transformer.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LD15033" target="_blank" >LD15033: Teorie a aplikace memristorů</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2017 27th International Symposium on Power and Timing Modeling, Optimization and Simulation (PATMOS)
ISBN
978-1-5090-6462-5
ISSN
2474-5456
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1-4
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Pickway, USA
Místo konání akce
Thessaloniki, Greece
Datum konání akce
25. 9. 2017
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000426525200007