Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Mutual Transformation of Flux-Controlled and Charge-Controlled Memristors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F22%3APU145317" target="_blank" >RIV/00216305:26220/22:PU145317 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/60162694:G43__/23:00558169

  • Výsledek na webu

    <a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/9807283" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/9807283</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2022.3186281" target="_blank" >10.1109/ACCESS.2022.3186281</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Mutual Transformation of Flux-Controlled and Charge-Controlled Memristors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Two-ports for mutual transformation between flux-controlled memristors and charge-controlled memristors are proposed. Attention is paid to memristors with the region of negative differential memristance in the charge-flux constitutive relation, when such a transformation should be made carefully. Connections between this transformation, duality rules, and Chua's table of higher-order elements are described. The proposed transforming cells can be made up of commercially available integrated circuits. Their proper operation is demonstrated via simulations and lab experiments with memristive oscillators.

  • Název v anglickém jazyce

    Mutual Transformation of Flux-Controlled and Charge-Controlled Memristors

  • Popis výsledku anglicky

    Two-ports for mutual transformation between flux-controlled memristors and charge-controlled memristors are proposed. Attention is paid to memristors with the region of negative differential memristance in the charge-flux constitutive relation, when such a transformation should be made carefully. Connections between this transformation, duality rules, and Chua's table of higher-order elements are described. The proposed transforming cells can be made up of commercially available integrated circuits. Their proper operation is demonstrated via simulations and lab experiments with memristive oscillators.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10201 - Computer sciences, information science, bioinformathics (hardware development to be 2.2, social aspect to be 5.8)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA20-26849S" target="_blank" >GA20-26849S: Nové algoritmy pro přesnou, efektivní a robustní analýzu rozsáhlých systémů</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    IEEE Access

  • ISSN

    2169-3536

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    10

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2022

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    12

  • Strana od-do

    68307-68318

  • Kód UT WoS článku

    000838543700001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85133779704