Thermodynamic of Gas-Phase Parasitic Reactions in AlGaN MOVPE Growth.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F02%3A00006500" target="_blank" >RIV/60461373:22310/02:00006500 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Thermodynamic of Gas-Phase Parasitic Reactions in AlGaN MOVPE Growth.
Popis výsledku v původním jazyce
The Lewis acid-base adduct TMAl:NH3 formation and the subsequent methane elimination leading to the trimeric amide [DMAlNH2]3 is the dominant reaction pathway for Al-containing species at low temperatures and atmospheric pressure. Considering the readilycondensation of trimeric amide complexes, these findings can explain the depletion of aluminium in the gaseous phase and the deterioration of the Al incorporation into the growing layers. The pressure reduction has the significant influence on the gas -phase reaction at low temperatures due to enhancement of large molecules dissociation.
Název v anglickém jazyce
Thermodynamic of Gas-Phase Parasitic Reactions in AlGaN MOVPE Growth.
Popis výsledku anglicky
The Lewis acid-base adduct TMAl:NH3 formation and the subsequent methane elimination leading to the trimeric amide [DMAlNH2]3 is the dominant reaction pathway for Al-containing species at low temperatures and atmospheric pressure. Considering the readilycondensation of trimeric amide complexes, these findings can explain the depletion of aluminium in the gaseous phase and the deterioration of the Al incorporation into the growing layers. The pressure reduction has the significant influence on the gas -phase reaction at low temperatures due to enhancement of large molecules dissociation.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA104%2F00%2F0572" target="_blank" >GA104/00/0572: Příprava a aplikace epitaxních vrstev nitridů 3. podskupiny pro optické vlnovodné struktury se zaměřením na senzorové aplikace</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Phys.Status Solidi
ISSN
0031-8957
e-ISSN
—
Svazek periodika
Neuveden
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
133-136
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—