Vliv nosného plynu na vlastnosti epitaxních vrstev GaN

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F05%3A00014030" target="_blank" >RIV/60461373:22310/05:00014030 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Poster: The Effect of Carrier Gas on GaN Epilayer Characteristics

Popis výsledku v původním jazyce

Metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaN was performed using hydrogen (H2), nitrogen (N2) and H2/N2mixtures thereof as the carrier gas in the high temperature buffer growth range. The effect of carrier gas on the structural and morphological characteristics of the epilayers was systematically studied using interference and atomic force microscopy (AFM), photoluminescence (PL) measurements at 2 K, Raman spectroscopy and X-ray diffraction (XRD). The higher the N2 content in the carrier gas, the more pinholes are observed, the lower compressive strain and the higher dislocation density in the layers. A carrier gas composition range was defined at which GaN layers with acceptable structural and morphological characteristics are achieved.

Název v anglickém jazyce

Poster: The Effect of Carrier Gas on GaN Epilayer Characteristics

Popis výsledku anglicky

Metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) of GaN was performed using hydrogen (H2), nitrogen (N2) and H2/N2mixtures thereof as the carrier gas in the high temperature buffer growth range. The effect of carrier gas on the structural and morphological characteristics of the epilayers was systematically studied using interference and atomic force microscopy (AFM), photoluminescence (PL) measurements at 2 K, Raman spectroscopy and X-ray diffraction (XRD). The higher the N2 content in the carrier gas, the more pinholes are observed, the lower compressive strain and the higher dislocation density in the layers. A carrier gas composition range was defined at which GaN layers with acceptable structural and morphological characteristics are achieved.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA104%2F03%2F0387" target="_blank" >GA104/03/0387: Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů