Studie růstu vrstev AlN na safírových substrátech s využitím horizontálního reaktoru MOVPE

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F07%3A00018270" target="_blank" >RIV/60461373:22310/07:00018270 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Investigation of AlN Growth on Sapphire Substrates in a Horizontal MOVPE Reactor

Popis výsledku v původním jazyce

AlN growth was performed on c-plane sapphire substrates by MOVPE using trimethylaluminium (TMAl) and NHš. The influence of the carrier gases H2 and N2 and their mixtures on the surface morphology and structural characteristics was investigated as well asthe influence of the growth temperature of the total source partial pressure and of the TMAl substrate pretreatment. It was found that smoother layers and better structural characteristics are obtained for lower source partial pressures. Decreasing of growth temperature led to improvement of surface morphology, and increasing of nitrogen in gas phase led to improvement structural quality of the layer. A pretreatment of the substrate leads to rougher layers.

Název v anglickém jazyce

Investigation of AlN Growth on Sapphire Substrates in a Horizontal MOVPE Reactor

Popis výsledku anglicky

AlN growth was performed on c-plane sapphire substrates by MOVPE using trimethylaluminium (TMAl) and NHš. The influence of the carrier gases H2 and N2 and their mixtures on the surface morphology and structural characteristics was investigated as well asthe influence of the growth temperature of the total source partial pressure and of the TMAl substrate pretreatment. It was found that smoother layers and better structural characteristics are obtained for lower source partial pressures. Decreasing of growth temperature led to improvement of surface morphology, and increasing of nitrogen in gas phase led to improvement structural quality of the layer. A pretreatment of the substrate leads to rougher layers.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physics and Chemistry of Solids

ISSN

0022-3697

e-ISSN

—

Svazek periodika

—

Číslo periodika v rámci svazku

68 (5-6)

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1131-1134

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—