In-situ monitorování vlivu různých parametrů na růst GaN metodou MOVPE

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F05%3A00015167" target="_blank" >RIV/60461373:22310/05:00015167 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
němčina
Název v původním jazyce
Přednáška: In-situ Untersuchungen von Wachstumsparametereinflüssen auf die MOVPE von GaN
Popis výsledku v původním jazyce
Die in-situ Reflektometrie ist eine etablierte Methode, um die Morphologieentwicklung und den Einfluss der Wachstumsparameter bei der Epitaxie von Gruppe III-Nitriden zu beobachten. Seit kurzem ist es zusätzlich möglich, die absolute Oberflächentemperatur transparenter Substrate mittels emissivitätskorrigierter Pyrometrie zu bestimmen. Die Temperaturabhängigkeit der SiC Bandlücke wird dabei zur Kalibrierung eingesetzt. In diesem Beitrag wird die neue Methode vorgestellt, der nunmehr beobachtbare Einfluss der Wachstumsparameter auf die absolute Oberflächentemperatur bestimmt, sowie die Auswirkungen auf die Epitaxie diskutiert.
Název v anglickém jazyce
In-situ monitoring of parameters influenceing MOVPE growth of GaN
Popis výsledku anglicky
In-situ monitoring of parameters influenceing MOVPE growth of GaN

Projekt
<a href="/cs/project/GA104%2F03%2F0387" target="_blank" >GA104/03/0387: Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku