GaN implantovaný galliem a dysprosiem pro spintroniku

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F07%3A00018269" target="_blank" >RIV/60461373:22310/07:00018269 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Gd and Dy Implanted GaN for Spintronics
Popis výsledku v původním jazyce
The MOVPE GaN thin films deposited on sapphire substrates were implanted by different doses of Gd and Dy, analyzed by RBS, XRD and the magnetic properties of the resulting layers were examined. The coexistence of paramagnetism and ferromagnetism was identified in the studied concentration range 0.1-1 at.% of rare earth in.
Název v anglickém jazyce
Gd and Dy Implanted GaN for Spintronics
Popis výsledku anglicky
The MOVPE GaN thin films deposited on sapphire substrates were implanted by different doses of Gd and Dy, analyzed by RBS, XRD and the magnetic properties of the resulting layers were examined. The coexistence of paramagnetism and ferromagnetism was identified in the studied concentration range 0.1-1 at.% of rare earth in.

Projekt
<a href="/cs/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Sborník příspěvků VI. ročníku konference Vrstvy a povlaky 2007
ISBN
978-80-969310-4-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
121-125
Název nakladatele
Digital Graphic
Místo vydání
Plzeň
Místo konání akce
—
Datum konání akce
—
Typ akce podle státní příslušnosti
—
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)