DC pulzní plazmatický systém s dutými katodami pro depozici tenkých vrstev TiO2:N ? efekt velikosti proudu v pulzu na vlastnosti vrstev

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F09%3A00021534" target="_blank" >RIV/60461373:22310/09:00021534 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
DC pulzní plazmatický systém s dutými katodami pro depozici tenkých vrstev TiO2:N ? efekt velikosti proudu v pulzu na vlastnosti vrstev
Popis výsledku v původním jazyce
Tato práce se zabývá přípravou tenkých vrstev oxidu titaničitého cíleně modifikovaných jejich dopací dusíkem. Vrstvy byly připravovány pomocí nízkotlakého plazmatického systému v reaktoru s dutými katodami. Připravené vrstvy byly kromě důkladné fyzikálnícharakterizace (XRD, Ramanova spektroskopie, UV-Vis, XPS, AFM) posuzovány na základě jejich fotoelektrochemických vlastností.
Název v anglickém jazyce
DC pulse plasmatic system with hollow cathodes for TiO2:N layers deposition ? effect of current quantity in pulse on layer properties
Popis výsledku anglicky
This work describes the preparation of thin Titanium(IV) oxide semiconducting thin films modified by nitrogen doping. Layers were deposited by means of low pressure plasmatic system in the reactor with hollow cathodes. Prepared films were except detailedcharacterization (XRD, Raman spectroscopy, UV-Vis, XPS, AFM) tested then for their electrochemical properties.

Projekt
<a href="/cs/project/1M0577" target="_blank" >1M0577: Výzkumné centrum pro nanopovrchové inženýrství</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)