Electrochemical etching of copper foils for graphene preparation by CVD
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F18%3A43917093" target="_blank" >RIV/60461373:22310/18:43917093 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2018.8544469" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2018.8544469</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ASDAM.2018.8544469" target="_blank" >10.1109/ASDAM.2018.8544469</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electrochemical etching of copper foils for graphene preparation by CVD
Popis výsledku v původním jazyce
The contribution is focused to modification of Cu foils prior to graphene growth by the method of chemical vapour deposition, with the aim to prepare higher quality graphene. The Cu foils are chemically polished prior to the process in various chemical solutions. Influence of these modifications has principal meaning to graphene growth; single-layer graphene has been prepared.
Název v anglickém jazyce
Electrochemical etching of copper foils for graphene preparation by CVD
Popis výsledku anglicky
The contribution is focused to modification of Cu foils prior to graphene growth by the method of chemical vapour deposition, with the aim to prepare higher quality graphene. The Cu foils are chemically polished prior to the process in various chemical solutions. Influence of these modifications has principal meaning to graphene growth; single-layer graphene has been prepared.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
20501 - Materials engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA17-00607S" target="_blank" >GA17-00607S: Komplexní umělé elektromagnetické struktury a nanostruktury</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2018
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings: 12th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
978-1-5386-7488-8
ISSN
—
e-ISSN
neuvedeno
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
69-72
Název nakladatele
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers
Místo vydání
Piscataway, New Jersey
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
21. 10. 2018
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—