Physical and Structural Characterization of NiO Films for Gas Detection
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22340%2F02%3A00007031" target="_blank" >RIV/60461373:22340/02:00007031 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Physical and Structural Characterization of NiO Films for Gas Detection
Popis výsledku v původním jazyce
Nickel oxide thin films, for use as function sensor layers for chemical sensors, have been deposited on Si and alumina substrates by DC magnetron sputtering. The influence of deposition parameters and annealing temperature on the structiral properties and surface roughness has been analyzed by X-ray diffraction and atomic force microscopy. The NiO thin films were tested in order to investigate their response to hydrogen in the concentrations up to 1.5 vol% and ethanol in the interval 0-1200 ppm at different operating temperatures.
Název v anglickém jazyce
Physical and Structural Characterization of NiO Films for Gas Detection
Popis výsledku anglicky
Nickel oxide thin films, for use as function sensor layers for chemical sensors, have been deposited on Si and alumina substrates by DC magnetron sputtering. The influence of deposition parameters and annealing temperature on the structiral properties and surface roughness has been analyzed by X-ray diffraction and atomic force microscopy. The NiO thin films were tested in order to investigate their response to hydrogen in the concentrations up to 1.5 vol% and ethanol in the interval 0-1200 ppm at different operating temperatures.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
The Fourth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM´02
ISBN
0-7803-7276-X
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
107-110
Název nakladatele
Slovak University of Technology
Místo vydání
Bratislava
Místo konání akce
Bratislava
Datum konání akce
14. 10. 2002
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—