Evolution of temperature-induced strain and doping of double-layer graphene: an in situ Raman spectral mapping study

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F15%3A00454522" target="_blank" >RIV/61388955:_____/15:00454522 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/15:00454522

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201552223" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201552223</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201552223" target="_blank" >10.1002/pssb.201552223</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Evolution of temperature-induced strain and doping of double-layer graphene: an in situ Raman spectral mapping study

Popis výsledku v původním jazyce

Using Raman spectral-mapping, we investigated in situ temperature dependence (100–300 K) of strain and doping of isotopically labelled double-layer graphene, which allows us to simultaneously and independently follow the strain and doping in both layers of the double layer. We find that the strain in both layers of the double-layer graphene is almost the same and becomes larger when the temperature is decreased. The bottom graphene layer, in contact with the Si/SiO2 substrate has a stronger doping than the top graphene layer which is in contact with the graphene bottom layer. We also observed that the spatial distribution of the temperature-induced strain and doping is not homogeneously distributed within the substrate.

Název v anglickém jazyce

Evolution of temperature-induced strain and doping of double-layer graphene: an in situ Raman spectral mapping study

Popis výsledku anglicky

Using Raman spectral-mapping, we investigated in situ temperature dependence (100–300 K) of strain and doping of isotopically labelled double-layer graphene, which allows us to simultaneously and independently follow the strain and doping in both layers of the double layer. We find that the strain in both layers of the double-layer graphene is almost the same and becomes larger when the temperature is decreased. The bottom graphene layer, in contact with the Si/SiO2 substrate has a stronger doping than the top graphene layer which is in contact with the graphene bottom layer. We also observed that the spatial distribution of the temperature-induced strain and doping is not homogeneously distributed within the substrate.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA15-01953S" target="_blank" >GA15-01953S: Nanokompozitní systémy plasmonických/magnetických nanočástic - grafenu - aromatických molekul pro zesílené Ramanské procesy</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics

ISSN

0370-1972

e-ISSN

—

Svazek periodika

252

Číslo periodika v rámci svazku

11

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

2401-2406

Kód UT WoS článku

000364690400008

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84946433593