Electrochemical charging of the single-layer graphene membrane
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F16%3A00468135" target="_blank" >RIV/61388955:_____/16:00468135 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201600191" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201600191</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201600191" target="_blank" >10.1002/pssb.201600191</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Electrochemical charging of the single-layer graphene membrane
Popis výsledku v původním jazyce
In situ Raman spectroelectrochemistry has been applied to study chemical vapor-deposition-grown single-layer graphene membrane on a patterned SiO2/Si substrate. The SiO2/Si substrate is known to dope graphene, thus the substrate can significantly influence the properties of the graphene during electrochemical charging. We analyzed the change of the Raman intensity of the G mode as a function of electrode potential for a single-layer graphene membrane and we compared the results to those obtained for the same graphene sample on a substrate. Because of the elimination of the influence of a supporting substrate we have been able to achieve more efficient doping of graphene by applied electrode potentials. (C) 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
Název v anglickém jazyce
Electrochemical charging of the single-layer graphene membrane
Popis výsledku anglicky
In situ Raman spectroelectrochemistry has been applied to study chemical vapor-deposition-grown single-layer graphene membrane on a patterned SiO2/Si substrate. The SiO2/Si substrate is known to dope graphene, thus the substrate can significantly influence the properties of the graphene during electrochemical charging. We analyzed the change of the Raman intensity of the G mode as a function of electrode potential for a single-layer graphene membrane and we compared the results to those obtained for the same graphene sample on a substrate. Because of the elimination of the influence of a supporting substrate we have been able to achieve more efficient doping of graphene by applied electrode potentials. (C) 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CG - Elektrochemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics
ISSN
0370-1972
e-ISSN
—
Svazek periodika
253
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
2331-2335
Kód UT WoS článku
000390339000006
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84976906497