Non-Destructive Low-Temperature Contacts to MoS2 Nanoribbon and Nanotube Quantum Dots

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F23%3A00570629" target="_blank" >RIV/61388955:_____/23:00570629 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://hdl.handle.net/11104/0341936" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0341936</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/adma.202209333" target="_blank" >10.1002/adma.202209333</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Non-Destructive Low-Temperature Contacts to MoS2 Nanoribbon and Nanotube Quantum Dots

Popis výsledku v původním jazyce

Molybdenum disulfide nanoribbons and nanotubes are quasi-1D semiconductors with strong spin-orbit interaction, a nanomaterial highly promising for quantum electronic applications. Here, it is demonstrated that a bismuth semimetal layer between the contact metal and this nanomaterial strongly improves the properties of the contacts. Two-point resistances on the order of 100 k omega are observed at room temperature. At cryogenic temperature, Coulomb blockade is visible. The resulting stability diagrams indicate a marked absence of trap states at the contacts and the corresponding disorder, compared to previous devices that use low-work-function metals as contacts. Single-level quantum transport is observed at temperatures below 100 mK.

Název v anglickém jazyce

Non-Destructive Low-Temperature Contacts to MoS2 Nanoribbon and Nanotube Quantum Dots

Popis výsledku anglicky

Molybdenum disulfide nanoribbons and nanotubes are quasi-1D semiconductors with strong spin-orbit interaction, a nanomaterial highly promising for quantum electronic applications. Here, it is demonstrated that a bismuth semimetal layer between the contact metal and this nanomaterial strongly improves the properties of the contacts. Two-point resistances on the order of 100 k omega are observed at room temperature. At cryogenic temperature, Coulomb blockade is visible. The resulting stability diagrams indicate a marked absence of trap states at the contacts and the corresponding disorder, compared to previous devices that use low-work-function metals as contacts. Single-level quantum transport is observed at temperatures below 100 mK.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10403 - Physical chemistry

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2023

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Advanced Materials

ISSN

0935-9648

e-ISSN

1521-4095

Svazek periodika

35

Číslo periodika v rámci svazku

13

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

2209333

Kód UT WoS článku

000935944100001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85148573479