Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

High-quality dense ZnO thin films: work function and photo/electrochemical properties

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F24%3A00582298" target="_blank" >RIV/61388955:_____/24:00582298 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68378271:_____/24:00586227

  • Výsledek na webu

    <a href="https://hdl.handle.net/11104/0350413" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0350413</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1007/s10008-023-05766-6" target="_blank" >10.1007/s10008-023-05766-6</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High-quality dense ZnO thin films: work function and photo/electrochemical properties

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Compact ZnO (wurtzite) thin films are prepared on four different substrates by (i) spray pyrolysis or (ii) pulsed reactive magnetron sputtering combined with a radio frequency electron cyclotron wave resonance plasma. Films are characterized by AFM, XRD, Kelvin probe, cyclic voltammetry, electrochemical impedance spectroscopy, and UV photoelectrochemistry. Film morphologies, defect concentrations, crystallite size, and orientation provided specific fingerprints for the electronic structure of ZnO close to the conduction band minimum. Fabricated films are referenced, if relevant, to a model system based on a wurtzite single crystal with either Zn-face or O-face termination. Kelvin probe measurements of the ZnO/air interface distinguished effects of annealing and UV excitation, which are attributed to removal of oxygen vacancies close to the surface. In turn, the work function, at the electrochemical interface, specifically addressed the growth protocol of the ZnO electrodes but not the effects of crystallinity and annealing. Finally, high photocurrents of water oxidation are observed exclusively on virgin films. This effect is then discussed in terms of photocorrosion, and work function changes due to UV light.

  • Název v anglickém jazyce

    High-quality dense ZnO thin films: work function and photo/electrochemical properties

  • Popis výsledku anglicky

    Compact ZnO (wurtzite) thin films are prepared on four different substrates by (i) spray pyrolysis or (ii) pulsed reactive magnetron sputtering combined with a radio frequency electron cyclotron wave resonance plasma. Films are characterized by AFM, XRD, Kelvin probe, cyclic voltammetry, electrochemical impedance spectroscopy, and UV photoelectrochemistry. Film morphologies, defect concentrations, crystallite size, and orientation provided specific fingerprints for the electronic structure of ZnO close to the conduction band minimum. Fabricated films are referenced, if relevant, to a model system based on a wurtzite single crystal with either Zn-face or O-face termination. Kelvin probe measurements of the ZnO/air interface distinguished effects of annealing and UV excitation, which are attributed to removal of oxygen vacancies close to the surface. In turn, the work function, at the electrochemical interface, specifically addressed the growth protocol of the ZnO electrodes but not the effects of crystallinity and annealing. Finally, high photocurrents of water oxidation are observed exclusively on virgin films. This effect is then discussed in terms of photocorrosion, and work function changes due to UV light.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10405 - Electrochemistry (dry cells, batteries, fuel cells, corrosion metals, electrolysis)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA22-24138S" target="_blank" >GA22-24138S: Materiálové inženýrství okraje vodivostního pásu v oxidických polovodičích</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2024

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Solid State Electrochemistry

  • ISSN

    1432-8488

  • e-ISSN

    1433-0768

  • Svazek periodika

    28

  • Číslo periodika v rámci svazku

    8

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    16

  • Strana od-do

    2531-2546

  • Kód UT WoS článku

    001147734600002

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85181515428