Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Sulfur isotope engineering in heterostructures of transition metal dichalcogenides

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F25%3A00605502" target="_blank" >RIV/61388955:_____/25:00605502 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216208:11320/25:10503830

  • Výsledek na webu

    <a href="https://hdl.handle.net/11104/0363224" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0363224</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1039/d4na00897a" target="_blank" >10.1039/d4na00897a</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Sulfur isotope engineering in heterostructures of transition metal dichalcogenides

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Heterostructuring of two-dimensional materials offers a robust platform to precisely tune optoelectronic properties through interlayer interactions. Here we achieved a strong interlayer coupling in a double-layered heterostructure of sulfur isotope-modified adjacent MoS2 monolayers via two-step chemical vapor deposition growth. The strong interlayer coupling in the MoS2(34S)/MoS2(32S) was affirmed by low-frequency shear and breathing modes in the Raman spectra. The photoluminescence emission spectra showed that isotope-induced changes in the electronic structure and strong interlayer coupling led to the suppression of intralayer excitons, resulting in dominant emission from the MoS2(32S) layer. Time-resolved photoluminescence experiments indicated faster lifetimes in the MoS2(34S)/MoS2(32S) heterostructure compared to the conventional bilayers with the natural isotopic abundance, highlighting nuanced interlayer exciton dynamics due to the isotopic modification. This study underscores the great potential of isotope engineering in van der Waals heterostructures, as it enables tailoring the band structure and exciton dynamics at the nuclear level without the need of chemical modification.

  • Název v anglickém jazyce

    Sulfur isotope engineering in heterostructures of transition metal dichalcogenides

  • Popis výsledku anglicky

    Heterostructuring of two-dimensional materials offers a robust platform to precisely tune optoelectronic properties through interlayer interactions. Here we achieved a strong interlayer coupling in a double-layered heterostructure of sulfur isotope-modified adjacent MoS2 monolayers via two-step chemical vapor deposition growth. The strong interlayer coupling in the MoS2(34S)/MoS2(32S) was affirmed by low-frequency shear and breathing modes in the Raman spectra. The photoluminescence emission spectra showed that isotope-induced changes in the electronic structure and strong interlayer coupling led to the suppression of intralayer excitons, resulting in dominant emission from the MoS2(32S) layer. Time-resolved photoluminescence experiments indicated faster lifetimes in the MoS2(34S)/MoS2(32S) heterostructure compared to the conventional bilayers with the natural isotopic abundance, highlighting nuanced interlayer exciton dynamics due to the isotopic modification. This study underscores the great potential of isotope engineering in van der Waals heterostructures, as it enables tailoring the band structure and exciton dynamics at the nuclear level without the need of chemical modification.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10403 - Physical chemistry

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA22-17517S" target="_blank" >GA22-17517S: Mezoskopické origami z van der Waalsovských heterostruktur</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2025

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nanoscale Advances

  • ISSN

    2516-0230

  • e-ISSN

    2516-0230

  • Svazek periodika

    7

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    11

  • Strana od-do

    1276-1286

  • Kód UT WoS článku

    001400651200001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85215686590