Data for Tuning of MoS2 Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F26%3A00647052" target="_blank" >RIV/61388955:_____/26:00647052 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Data for Tuning of MoS2 Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr
Popis výsledku v původním jazyce
This dataset supports the published article " Tuning of MoS2 Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr." In this work, we present a method for modulating the photoluminescence (PL) of monolayer (1L) MoS2 through its interaction with the semiconductor CrSBr. We find that CrSBr layers up to 18 nm thick enhance MoS2 PL, while thicker flakes tend to quench it. This behavior is attributed to an n- to p-doping transition in MoS2, driven by charge transfer in a type-II band alignment. Our findings are supported by first-principles calculations, transport measurements, Kelvin probe force microscopy, and time-resolved PL spectroscopy. Additionally, we fabricate a lateral CrSBr/MoS2 photodetector operating in the AC regime, achieving a responsivity of 105 A/W.
Název v anglickém jazyce
Data for Tuning of MoS2 Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr
Popis výsledku anglicky
This dataset supports the published article " Tuning of MoS2 Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr." In this work, we present a method for modulating the photoluminescence (PL) of monolayer (1L) MoS2 through its interaction with the semiconductor CrSBr. We find that CrSBr layers up to 18 nm thick enhance MoS2 PL, while thicker flakes tend to quench it. This behavior is attributed to an n- to p-doping transition in MoS2, driven by charge transfer in a type-II band alignment. Our findings are supported by first-principles calculations, transport measurements, Kelvin probe force microscopy, and time-resolved PL spectroscopy. Additionally, we fabricate a lateral CrSBr/MoS2 photodetector operating in the AC regime, achieving a responsivity of 105 A/W.
Klasifikace
Druh
X - Nezařazeno
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2026
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů