Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Data for Tuning of MoS2 Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388955%3A_____%2F26%3A00647052" target="_blank" >RIV/61388955:_____/26:00647052 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Data for Tuning of MoS2 Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr

  • Popis výsledku v původním jazyce

    This dataset supports the published article " Tuning of MoS2 Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr." In this work, we present a method for modulating the photoluminescence (PL) of monolayer (1L) MoS2 through its interaction with the semiconductor CrSBr. We find that CrSBr layers up to 18 nm thick enhance MoS2 PL, while thicker flakes tend to quench it. This behavior is attributed to an n- to p-doping transition in MoS2, driven by charge transfer in a type-II band alignment. Our findings are supported by first-principles calculations, transport measurements, Kelvin probe force microscopy, and time-resolved PL spectroscopy. Additionally, we fabricate a lateral CrSBr/MoS2 photodetector operating in the AC regime, achieving a responsivity of 105 A/W.

  • Název v anglickém jazyce

    Data for Tuning of MoS2 Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr

  • Popis výsledku anglicky

    This dataset supports the published article " Tuning of MoS2 Photoluminescence in Heterostructures with CrSBr." In this work, we present a method for modulating the photoluminescence (PL) of monolayer (1L) MoS2 through its interaction with the semiconductor CrSBr. We find that CrSBr layers up to 18 nm thick enhance MoS2 PL, while thicker flakes tend to quench it. This behavior is attributed to an n- to p-doping transition in MoS2, driven by charge transfer in a type-II band alignment. Our findings are supported by first-principles calculations, transport measurements, Kelvin probe force microscopy, and time-resolved PL spectroscopy. Additionally, we fabricate a lateral CrSBr/MoS2 photodetector operating in the AC regime, achieving a responsivity of 105 A/W.

Klasifikace

  • Druh

    X - Nezařazeno

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2026

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů