Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Limitní provozní režimy vybraných výkonových polovodičových elementů

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61388998%3A_____%2F06%3A00042710" target="_blank" >RIV/61388998:_____/06:00042710 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21230/06:00122143

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Limit operation regimes of selected power semiconductor elements

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Operation regimes of modern power semiconductor devices (such as IGCT thyristors or IGBT transistors) are characterized by switching high currents of the order of kA at the voltage level of several kV. Although their internal and eventual contact resistances are very low, the Joule losses in them reach quite high values and corresponding heat may lead to unacceptable temperature rise. The paper represents an introductory study in the area and deals with partial mathematical and computer modeling of thetemperature rise of an axisymmetric device during its operation in several regimes. The methodology is illustrated on an example of a real IGCT device. Selected results are compared with measurements.

  • Název v anglickém jazyce

    Limit operation regimes of selected power semiconductor elements

  • Popis výsledku anglicky

    Operation regimes of modern power semiconductor devices (such as IGCT thyristors or IGBT transistors) are characterized by switching high currents of the order of kA at the voltage level of several kV. Although their internal and eventual contact resistances are very low, the Joule losses in them reach quite high values and corresponding heat may lead to unacceptable temperature rise. The paper represents an introductory study in the area and deals with partial mathematical and computer modeling of thetemperature rise of an axisymmetric device during its operation in several regimes. The methodology is illustrated on an example of a real IGCT device. Selected results are compared with measurements.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0112" target="_blank" >GA102/06/0112: Eliminace emisí hluku, vibrací a elektromagnetického smogu produkovaných trakčními vozidly</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    12th International Power Electronics and Motion Control Conference EPE-PEMC 2006

  • ISBN

    1-4244-0121-6

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    50-53

  • Název nakladatele

    University of Maribor

  • Místo vydání

    Maribor

  • Místo konání akce

    Portorož

  • Datum konání akce

    30. 8. 2006

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku