Oteplení výkonových polovodičových součástek

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985866%3A_____%2F05%3A00021009" target="_blank" >RIV/67985866:_____/05:00021009 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21230/05:00115760
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Temperature Rise of Power Semiconductor Devices
Popis výsledku v původním jazyce
Modern power semiconductors (such as IGCT thyristors) represent elements for switching high currents of the orderof kA at the voltage level of several kV. The limiting quantity of ther operation is, therefore, the temperature rise. The paper represents an introductory study in the domain. Calculated is temperature rise of an axisymmetric device curing its operation in various regimes. Distribution of the internal sources of heat (specific Joule Losses) was found from experiments.
Název v anglickém jazyce
Temperature Rise of Power Semiconductor Devices
Popis výsledku anglicky
Modern power semiconductors (such as IGCT thyristors) represent elements for switching high currents of the orderof kA at the voltage level of several kV. The limiting quantity of ther operation is, therefore, the temperature rise. The paper represents an introductory study in the domain. Calculated is temperature rise of an axisymmetric device curing its operation in various regimes. Distribution of the internal sources of heat (specific Joule Losses) was found from experiments.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F03%2F1363" target="_blank" >GA102/03/1363: Modernizace elektrických pohonů pomocí měničů s IGCT, zlepšení elektromagnetické ekologie elektrických vozidel</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)