Možnost používání ohnutých dokonalých krystalů u TOF přístrojích pro neutronový rozptyl
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F02%3A00185597" target="_blank" >RIV/61389005:_____/02:00185597 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
On the possibility of using bent perfect crystals in TOF neutron scattering devices
Popis výsledku v původním jazyce
A silicon bent perfect crystal in fully asymmetric diffraction (FAD) geometry in combination with a linear position-sensitive detector can be effectively used for high-resolution analysis of a beam scattered ba a sample. The results of the first promising time of fligth (TOF) experimental tests of.lambda. scanning carried out with the FAD of cylindrically bent Si slabs of different cuts are presented. The length and the homogeneous curvature of the crystal determine the range of .DELTA..lambda/.lambda.of about 10-2 that could be investigated with the accuracy of ëk/k 10-4 The obtained experimental results indicate that the FAD geometry of the bent Si slab in combination with a one-dimensional position-sensitive detector could be a good candidate for ahigh-resolution analyzer at some of the TOF instruments.
Název v anglickém jazyce
On the possibility of using bent perfect crystals in TOF neutron scattering devices
Popis výsledku anglicky
A silicon bent perfect crystal in fully asymmetric diffraction (FAD) geometry in combination with a linear position-sensitive detector can be effectively used for high-resolution analysis of a beam scattered ba a sample. The results of the first promising time of fligth (TOF) experimental tests of.lambda. scanning carried out with the FAD of cylindrically bent Si slabs of different cuts are presented. The length and the homogeneous curvature of the crystal determine the range of .DELTA..lambda/.lambda.of about 10-2 that could be investigated with the accuracy of ëk/k 10-4 The obtained experimental results indicate that the FAD geometry of the bent Si slab in combination with a one-dimensional position-sensitive detector could be a good candidate for ahigh-resolution analyzer at some of the TOF instruments.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Physics A - Materials Science & Processing
ISSN
0947-8396
e-ISSN
—
Svazek periodika
74
Číslo periodika v rámci svazku
S1
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
3
Strana od-do
"S207"-"S209"
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—