Role of reactive metals in Ge/Pd/GaAs contact structures.
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F03%3A49033144" target="_blank" >RIV/61389005:_____/03:49033144 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61389005:_____/03:00101833
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Role of reactive metals in Ge/Pd/GaAs contact structures.
Popis výsledku v původním jazyce
This article describes the behavior of the contact structures of the Ge/Pd type with addition of a very thin layer of a reactive metal (Ti, Ni, Cr) deposited on the surface of the GaAs plate prior to the metallization. The most suitable structure by thecontact resistivity and thermal stability is Ge(40)/Pd(4)/Ti(0.5). This structure showed minimal contact resistivity 2.66 X 10(-6) Omegacm(2). During the reliability test carried out at 400 degreesC, the contact resistivity only doubled after 10 h. The RBS measurement results show little mixing between titanium and GaAs. Chromium and nickel reacted with GaAs substrate very strongly. As presumed, the deposited reactive metals reduce the natural oxides on the GaAs surface, the effect of titanium being themost significant.
Název v anglickém jazyce
Role of reactive metals in Ge/Pd/GaAs contact structures.
Popis výsledku anglicky
This article describes the behavior of the contact structures of the Ge/Pd type with addition of a very thin layer of a reactive metal (Ti, Ni, Cr) deposited on the surface of the GaAs plate prior to the metallization. The most suitable structure by thecontact resistivity and thermal stability is Ge(40)/Pd(4)/Ti(0.5). This structure showed minimal contact resistivity 2.66 X 10(-6) Omegacm(2). During the reliability test carried out at 400 degreesC, the contact resistivity only doubled after 10 h. The RBS measurement results show little mixing between titanium and GaAs. Chromium and nickel reacted with GaAs substrate very strongly. As presumed, the deposited reactive metals reduce the natural oxides on the GaAs surface, the effect of titanium being themost significant.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/KSK1010104" target="_blank" >KSK1010104: Fyzika kondenzovaných systémů a materiálový výzkum</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
MICROELECTRONIC ENGINEERING
ISSN
0167-9317
e-ISSN
—
Svazek periodika
65
Číslo periodika v rámci svazku
3
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
335-343
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—