Charakterizace vodíku obsaženého ve vrstvách pasivovaného polykrystalického a mikrokrystalického křemíku s použitím metody ERDA
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F06%3A00032381" target="_blank" >RIV/61389005:_____/06:00032381 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Characterization of hydrogen contained in passivated poly-Si and microcrystalline-Si by ERDA technique
Popis výsledku v původním jazyce
Polycrystalline Si (poly-Si) thin films produced by atmospheric pressure chemical vapour deposition (APCVD) were treated by hydrogen passivation in the remote plasma system. Such materials could be potentially used for photovoltaics applications. The purpose of the present study was to investigate the effects of hydrogen passivation on poly-Si thin film properties, such as hall mobility and photoluminescence. Elastic recoil detection analysis (ERDA) was used to determine the depth distribution and concentration of hydrogen. ERDA was also applied to determine the hydrogen content of amorphous/microcrystalline silicon produced by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) with various dilution ratios of the working gases (H2 and SiH4).
Název v anglickém jazyce
Characterization of hydrogen contained in passivated poly-Si and microcrystalline-Si by ERDA technique
Popis výsledku anglicky
Polycrystalline Si (poly-Si) thin films produced by atmospheric pressure chemical vapour deposition (APCVD) were treated by hydrogen passivation in the remote plasma system. Such materials could be potentially used for photovoltaics applications. The purpose of the present study was to investigate the effects of hydrogen passivation on poly-Si thin film properties, such as hall mobility and photoluminescence. Elastic recoil detection analysis (ERDA) was used to determine the depth distribution and concentration of hydrogen. ERDA was also applied to determine the hydrogen content of amorphous/microcrystalline silicon produced by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) with various dilution ratios of the working gases (H2 and SiH4).
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Surface and Interface Analysis
ISSN
0142-2421
e-ISSN
—
Svazek periodika
38
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
819-822
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—