Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Charakterizace vodíku obsaženého ve vrstvách pasivovaného polykrystalického a mikrokrystalického křemíku s použitím metody ERDA

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F06%3A00032381" target="_blank" >RIV/61389005:_____/06:00032381 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Characterization of hydrogen contained in passivated poly-Si and microcrystalline-Si by ERDA technique

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Polycrystalline Si (poly-Si) thin films produced by atmospheric pressure chemical vapour deposition (APCVD) were treated by hydrogen passivation in the remote plasma system. Such materials could be potentially used for photovoltaics applications. The purpose of the present study was to investigate the effects of hydrogen passivation on poly-Si thin film properties, such as hall mobility and photoluminescence. Elastic recoil detection analysis (ERDA) was used to determine the depth distribution and concentration of hydrogen. ERDA was also applied to determine the hydrogen content of amorphous/microcrystalline silicon produced by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) with various dilution ratios of the working gases (H2 and SiH4).

  • Název v anglickém jazyce

    Characterization of hydrogen contained in passivated poly-Si and microcrystalline-Si by ERDA technique

  • Popis výsledku anglicky

    Polycrystalline Si (poly-Si) thin films produced by atmospheric pressure chemical vapour deposition (APCVD) were treated by hydrogen passivation in the remote plasma system. Such materials could be potentially used for photovoltaics applications. The purpose of the present study was to investigate the effects of hydrogen passivation on poly-Si thin film properties, such as hall mobility and photoluminescence. Elastic recoil detection analysis (ERDA) was used to determine the depth distribution and concentration of hydrogen. ERDA was also applied to determine the hydrogen content of amorphous/microcrystalline silicon produced by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) with various dilution ratios of the working gases (H2 and SiH4).

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Surface and Interface Analysis

  • ISSN

    0142-2421

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    38

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    819-822

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus