Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Optimization of a bent perfect Si(111) monochromator at a small take-off angle for use in a stress instrument

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F10%3A00346634" target="_blank" >RIV/61389005:_____/10:00346634 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/26722445:_____/10:#0000570

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Optimization of a bent perfect Si(111) monochromator at a small take-off angle for use in a stress instrument

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The reflectivity and resolution properties of focusing cylindrically bent perfect crystal Si(111) monochromators of different diffraction geometries were tested with the aim of evaluating their possible use in a stress instrument with an unusually smalltake-off angle (2 theta(M) similar or equal to 30 degrees). The experiments showed that an Si crystal with reflecting planes (111) in the symmetric diffraction geometry provides a maximum figure of merit for accuracy in the peak position that is comparable to that achieved previously from an optimized Si(220) monochromator at 2 theta(M) similar or equal to 55 degrees.

  • Název v anglickém jazyce

    Optimization of a bent perfect Si(111) monochromator at a small take-off angle for use in a stress instrument

  • Popis výsledku anglicky

    The reflectivity and resolution properties of focusing cylindrically bent perfect crystal Si(111) monochromators of different diffraction geometries were tested with the aim of evaluating their possible use in a stress instrument with an unusually smalltake-off angle (2 theta(M) similar or equal to 30 degrees). The experiments showed that an Si crystal with reflecting planes (111) in the symmetric diffraction geometry provides a maximum figure of merit for accuracy in the peak position that is comparable to that achieved previously from an optimized Si(220) monochromator at 2 theta(M) similar or equal to 55 degrees.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GAP204%2F10%2F0654" target="_blank" >GAP204/10/0654: Monte Carlo simulace komplexních neutronooptických systémů</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Applied Crystallography

  • ISSN

    0021-8898

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    43

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000277392600035

  • EID výsledku v databázi Scopus