Performance of Geant4 in simulating semiconductor particle detector response in the energy range below 1 MeV

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F13%3A00397828" target="_blank" >RIV/61389005:_____/13:00397828 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2013.06.047" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2013.06.047</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2013.06.047" target="_blank" >10.1016/j.nima.2013.06.047</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Performance of Geant4 in simulating semiconductor particle detector response in the energy range below 1 MeV

Popis výsledku v původním jazyce

Geant4 simulations play a crucial role in the analysis and interpretation of experiments providing low energy precision tests of the Standard Model. This paper focuses on the accuracy of the description of the electron processes in the energy range between 100 and 1000 keV. The effect of the different simulation parameters and multiple scattering models on the backscattering coefficients is investigated. Simulations of the response of HPGe and passivated implanted planar Si detectors to p particles arecompared to experimental results. An overall good agreement is found between Geant4 simulations and experimental data.

Název v anglickém jazyce

Performance of Geant4 in simulating semiconductor particle detector response in the energy range below 1 MeV

Popis výsledku anglicky

Geant4 simulations play a crucial role in the analysis and interpretation of experiments providing low energy precision tests of the Standard Model. This paper focuses on the accuracy of the description of the electron processes in the energy range between 100 and 1000 keV. The effect of the different simulation parameters and multiple scattering models on the backscattering coefficients is investigated. Simulations of the response of HPGe and passivated implanted planar Si detectors to p particles arecompared to experimental results. An overall good agreement is found between Geant4 simulations and experimental data.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LA08015" target="_blank" >LA08015: Spolupráce ČR s CERN</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A

ISSN

0168-9002

e-ISSN

—

Svazek periodika

728

Číslo periodika v rámci svazku

NOV

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

12

Strana od-do

11-22

Kód UT WoS článku

000324386600003

EID výsledku v databázi Scopus

—