Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Spectral tracking of proton beams by the Timepix3 detector with GaAs, CdTe and Si sensors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389005%3A_____%2F23%3A00570747" target="_blank" >RIV/61389005:_____/23:00570747 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1088/1748-0221/18/01/C01022" target="_blank" >https://doi.org/10.1088/1748-0221/18/01/C01022</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/18/01/C01022" target="_blank" >10.1088/1748-0221/18/01/C01022</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Spectral tracking of proton beams by the Timepix3 detector with GaAs, CdTe and Si sensors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Position and directional-sensitive spectrometry of energetic charged particles can be performed with high resolution and wide dynamic range (energy, direction) with the hybrid semiconductor pixel detectors Timepix/Timepix3. The choice of semiconductor sensor material, thickness, and properties such as the reverse bias voltage, greatly determine detector sensitivity and resolving power for spectrometry and particle tracking. We investigated and evaluated the spectral tracking resolving power such as deposited energy and linear-energy-transfer (LET) spectra with the Timepix3 detector with different semiconductor sensors, based on GaAs:Cr, CdTe, and Si, using well-defined radiation sources in terms of radiation type (protons), energy, and incident direction to the detector sensor. Measurements of particle incident direction in a wide range were performed with collimated monoenergetic proton beams of various energies in the range 8-31MeV at the U120-M cyclotron at the NPI CAS Rez near Prague. All detectors were per-pixel calibrated. This work enables to examine and perform a detailed study of charge sharing and charge collection efficiency in semiconductor sensors. The results serve to optimise the detector chip-sensor assembly configuration for measurements especially with high-LET particles in ion radiotherapy and outer space. The work underway includes evaluation of newly refined semi-insulating GaAs sensors and improved radiation hard semiconductor sensors SiC.

  • Název v anglickém jazyce

    Spectral tracking of proton beams by the Timepix3 detector with GaAs, CdTe and Si sensors

  • Popis výsledku anglicky

    Position and directional-sensitive spectrometry of energetic charged particles can be performed with high resolution and wide dynamic range (energy, direction) with the hybrid semiconductor pixel detectors Timepix/Timepix3. The choice of semiconductor sensor material, thickness, and properties such as the reverse bias voltage, greatly determine detector sensitivity and resolving power for spectrometry and particle tracking. We investigated and evaluated the spectral tracking resolving power such as deposited energy and linear-energy-transfer (LET) spectra with the Timepix3 detector with different semiconductor sensors, based on GaAs:Cr, CdTe, and Si, using well-defined radiation sources in terms of radiation type (protons), energy, and incident direction to the detector sensor. Measurements of particle incident direction in a wide range were performed with collimated monoenergetic proton beams of various energies in the range 8-31MeV at the U120-M cyclotron at the NPI CAS Rez near Prague. All detectors were per-pixel calibrated. This work enables to examine and perform a detailed study of charge sharing and charge collection efficiency in semiconductor sensors. The results serve to optimise the detector chip-sensor assembly configuration for measurements especially with high-LET particles in ion radiotherapy and outer space. The work underway includes evaluation of newly refined semi-insulating GaAs sensors and improved radiation hard semiconductor sensors SiC.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10304 - Nuclear physics

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EF16_013%2F0001812" target="_blank" >EF16_013/0001812: Centrum urychlovačů a jaderných analytických metod - OP</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2023

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Instrumentation

  • ISSN

    1748-0221

  • e-ISSN

    1748-0221

  • Svazek periodika

    18

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

    C01022

  • Kód UT WoS článku

    000947480700003

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85146885780