Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Bodové a stukturní poruchy v monokrystalech Bi2PbxTe3

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F07%3A00083449" target="_blank" >RIV/61389013:_____/07:00083449 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Point and structural defects in Bi2PbxTe3 single crystals

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The study of the doping process of Bi2Te3 by Pb atoms in wide range of lead concentration ((1.0-80.0)x10 18 cm-3) revealed two distinct areas of influence of incorporated Pb atoms on changes in free carrier concentration. While at lower concentration ofincorporated Pb (up to 20x10 18 cm-3 at. Pb cm-3) the ratio of generated holes to one incorporated Pb atom falls from value of 1.06 down to 0.55, at higher concentration ((20-80)x10 18 Pb at. cm-3) the value stays constant. The observed behaviour of seeming electrical inactivity of the incorporated Pb atoms is explained by a point defect model taking into account the interaction between the entering Pb atoms and native lattice defects of Bi2Te3 crystal structure.

  • Název v anglickém jazyce

    Point and structural defects in Bi2PbxTe3 single crystals

  • Popis výsledku anglicky

    The study of the doping process of Bi2Te3 by Pb atoms in wide range of lead concentration ((1.0-80.0)x10 18 cm-3) revealed two distinct areas of influence of incorporated Pb atoms on changes in free carrier concentration. While at lower concentration ofincorporated Pb (up to 20x10 18 cm-3 at. Pb cm-3) the ratio of generated holes to one incorporated Pb atom falls from value of 1.06 down to 0.55, at higher concentration ((20-80)x10 18 Pb at. cm-3) the value stays constant. The observed behaviour of seeming electrical inactivity of the incorporated Pb atoms is explained by a point defect model taking into account the interaction between the entering Pb atoms and native lattice defects of Bi2Te3 crystal structure.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Solid State Ionics

  • ISSN

    0167-2738

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    177

  • Číslo periodika v rámci svazku

    39-40

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    3513-3519

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus