Structure, electrical, optical and thermal properties of Ge4Sb4Tex(x=8,9 and10) thin films

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F09%3A00340236" target="_blank" >RIV/61389013:_____/09:00340236 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Structure, electrical, optical and thermal properties of Ge4Sb4Tex(x=8,9 and10) thin films
Popis výsledku v původním jazyce
The crystalline samples were prepared and their amorphous semiconducting thin films obtained by flash evaporation. The films were crystallized by a short laser pulses or slowly by annealing. The electrical and optical properties of layers prepared were measured.
Název v anglickém jazyce
Structure, electrical, optical and thermal properties of Ge4Sb4Tex(x=8,9 and10) thin films
Popis výsledku anglicky
The crystalline samples were prepared and their amorphous semiconducting thin films obtained by flash evaporation. The films were crystallized by a short laser pulses or slowly by annealing. The electrical and optical properties of layers prepared were measured.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA203%2F06%2F0627" target="_blank" >GA203/06/0627: Chalkogenidy dotované ionty vzácných zemin - materiály pro informační technologie</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)