Thermoelectric Properties of TI – Doped SnSe: A Hint of Phononic Structure
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F16%3A00460073" target="_blank" >RIV/61389013:_____/16:00460073 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-016-4415-7" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s11664-016-4415-7</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-016-4415-7" target="_blank" >10.1007/s11664-016-4415-7</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Thermoelectric Properties of TI – Doped SnSe: A Hint of Phononic Structure
Popis výsledku v původním jazyce
Polycrystalline samples with composition Sn1-xTlxSe (for x = 0 to 0.04) have been synthesized. Samples were prepared by hot pressing and characterized by measurement of electrical conductivity, Hall coefficient, Seebeck coefficient, and thermal conductivity over the temperature range from 300 K to 725 K.. The influence of Tl substitution on the free carrier concentration and thermoelectric performance was discussed. ZT is 0.6 at 725K.
Název v anglickém jazyce
Thermoelectric Properties of TI – Doped SnSe: A Hint of Phononic Structure
Popis výsledku anglicky
Polycrystalline samples with composition Sn1-xTlxSe (for x = 0 to 0.04) have been synthesized. Samples were prepared by hot pressing and characterized by measurement of electrical conductivity, Hall coefficient, Seebeck coefficient, and thermal conductivity over the temperature range from 300 K to 725 K.. The influence of Tl substitution on the free carrier concentration and thermoelectric performance was discussed. ZT is 0.6 at 725K.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA16-07711S" target="_blank" >GA16-07711S: Systematická studie vlivu výšky Schottkyho bariéry na energetické filtrování elektronů v termoelektrických nanokompozitech.</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Electronic Materials
ISSN
0361-5235
e-ISSN
—
Svazek periodika
45
Číslo periodika v rámci svazku
6
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
2943-2949
Kód UT WoS článku
000375074700041
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-84959539092